等离子体刻蚀
在化学气相沉积（CVD）方法中，气相成分与基片表面反应，使得材料沉积。该过程受到基片温度的限制，它是促进表面化学反应的唯一能量来源。因为反应物是以等离子体的形式存在的，所以等离子体增强化学气相沉积（PECVD）在降低基片温度的情况下提供了更高的沉积率。System 100 -等离子刻蚀与沉积设备该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真......
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀InSb—刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀InGaAlP—刻蚀铝镓铟磷刻蚀InP—刻蚀磷化铟刻蚀InAlAs—刻蚀砷化铟铝刻蚀InP/......
品牌:牛津仪器型号:Etch产地:欧洲有了在刻蚀工艺发展上无比广泛的经验和我们应用工程师的支持， 牛津仪器向世界范围内的生产商和研发者提供刻蚀工艺解决方案的经验向我们提供了强大的刻蚀工艺库和刻蚀工艺能力。请与我们联系，讨论您的特定需求，我们专业的销售和应用工作人员将很高兴帮助您选择合适的刻蚀工艺和工具，以满足您的需求。化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/Al......
电介质刻蚀(Ta2O5)—五氧化二钽刻蚀Al2O3—刻蚀氧化铝—感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石GST刻蚀- 锗锑碲化物的ICP刻蚀技术感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3—刻蚀碲化铋反应离子刻蚀ITO—刻蚀铟锡氧化物干法刻蚀LiNbO3—刻蚀铌酸锂干法刻蚀LiTaO3—刻蚀钽酸锂刻蚀PZT—刻蚀锆钛酸铅刻蚀PbSe—刻蚀硒化铅刻蚀SiC—刻蚀碳化硅化合物半导体刻蚀A......
Ionfab300IBD客户选择我们的离子束沉积产品是因为它们可以生产高质量、致密和表面光滑的沉积薄膜。离子束技术提供了多种刻蚀和沉积方法，并且可以在同一设备上实现，从而提高系统的利用率。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统规格与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。多模式功能能够与其他等离子体......
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IMP-EPD是一款差泵、加固型二次离子质谱仪，用于分析离子束蚀刻过程中的二次离子和中性离子。仪器简介：IMP离子蚀刻探针（Ion Milling Probe）,自带差式泵，坚固的二次离子质谱仪，适于分析离子蚀刻过程中的二次离子和中性粒子.独有的专业终点检测（End Point Detection）仪器，用于离子蚀刻控......