牛津仪器 牛津仪器Etch刻蚀工艺

化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN
刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP
感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs
刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb
刻蚀锑化镓刻蚀GaN
刻蚀氮化镓刻蚀InSb
刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAsP
刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀InGaAlP
刻蚀铝镓铟磷刻蚀InP
刻蚀磷化铟刻蚀InAlAs
刻蚀砷化铟铝刻蚀InP/InGaAsP
刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀ZnSe
反应离子刻蚀硒化锌电介质刻蚀(Ta2O5)
五氧化二钽刻蚀Al2O3
刻蚀氧化铝
感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石GST刻蚀-锗锑碲化物的ICP刻蚀技术感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3
刻蚀碲化铋反应离子刻蚀ITO
刻蚀铟锡氧化物干法刻蚀LiNbO3
刻蚀铌酸锂干法刻蚀LiTaO3
刻蚀钽酸锂刻蚀PZT
刻蚀锆钛酸铅刻蚀PbSe
刻蚀硒化铅刻蚀SiC

刻蚀碳化硅

金属刻蚀Al
感应耦合等离子体刻蚀铝溅射刻蚀Au
溅射刻蚀金刻蚀Cr
刻蚀铬Cu刻蚀（反应离子刻蚀）
刻蚀铜刻蚀Mo
刻蚀钼刻蚀Nb（反应离子刻蚀，感应耦合等离子体）
刻蚀铌刻蚀Ni
刻蚀镍离子束刻蚀Ni
刻蚀镍铬合金溅射刻蚀Pt
溅射刻蚀铂刻蚀Ti
超大刻蚀深度刻蚀Ta
刻蚀钽刻蚀W
刻蚀钨TiN的各向异性刻蚀
刻蚀氮化钛WSi刻蚀
硅化钨刻蚀有机物刻蚀PMMA
刻蚀聚甲基丙烯酸甲酯感应耦合等离子体刻蚀BCB
刻蚀苯并环丁烯刻蚀金刚石
金刚石的刻蚀刻蚀聚酰亚胺
聚酰亚胺的刻蚀聚二甲基硅氧烷(PDMS)刻蚀
刻蚀PR
刻蚀光刻胶硅烷化光刻胶的干法显影（感应耦合等离子体-反应离子刻蚀）
硅烷化光刻胶硅博施刻蚀Si
博施刻蚀硅低温刻蚀Si
低温刻蚀硅混合刻蚀Si
八氟环丁烷-六氟化硫刻蚀硅HBr刻蚀Si
溴化氢刻蚀硅各向同性刻蚀Si
硅的各向同性刻蚀刻蚀SiGe
刻蚀锗硅绝缘层上的硅(SOI)的多层刻蚀

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