牛津仪器Etch刻蚀工艺

化合物半导体

刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓

深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓

刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓

刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓

刻蚀GaN—刻蚀氮化镓

刻蚀InSb—刻蚀锑化铟

刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷

刻蚀InGaAlP—刻蚀铝镓铟磷

刻蚀InP—刻蚀磷化铟

刻蚀InAlAs—刻蚀砷化铟铝

刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷

刻蚀ZnSe—反应离子刻蚀硒化锌

电介质

刻蚀(Ta2O5)—五氧化二钽

刻蚀Al2O3—刻蚀氧化铝—感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石

GST刻蚀- 锗锑碲化物的ICP刻蚀技术

感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3—刻蚀碲化铋

反应离子刻蚀ITO—刻蚀铟锡氧化物

干法刻蚀LiNbO3—刻蚀铌酸锂

干法刻蚀LiTaO3—刻蚀钽酸锂

刻蚀PZT—刻蚀锆钛酸铅

刻蚀PbSe—刻蚀硒化铅

刻蚀SiC—刻蚀碳化硅

金属

刻蚀Al—感应耦合等离子体刻蚀铝

溅射刻蚀Au—溅射刻蚀金

刻蚀Cr—刻蚀铬

Cu刻蚀（反应离子刻蚀）—刻蚀铜

刻蚀Mo—刻蚀钼

刻蚀Nb（反应离子刻蚀，感应耦合等离子体）—刻蚀铌

刻蚀Ni—刻蚀镍

离子束刻蚀Ni—刻蚀镍铬合金

溅射刻蚀Pt—溅射刻蚀铂

刻蚀Ti—超大刻蚀深度

刻蚀Ta—刻蚀钽

刻蚀W—刻蚀钨

TiN的各向异性刻蚀—刻蚀氮化钛

WSi刻蚀—硅化钨刻蚀

有机物

刻蚀PMMA—刻蚀聚甲基丙烯酸甲酯

感应耦合等离子体刻蚀BCB—刻蚀苯并环丁烯

刻蚀金刚石—金刚石的刻蚀

刻蚀聚酰亚胺—聚酰亚胺的刻蚀

聚二甲基硅氧烷(PDMS)刻蚀

刻蚀PR—刻蚀光刻胶

硅烷化光刻胶的干法显影（感应耦合等离子体-反应离子刻蚀）—硅烷化光刻胶

硅

博施刻蚀Si—博施刻蚀硅

低温刻蚀Si—低温刻蚀硅

混合刻蚀Si—八氟环丁烷-六氟化硫刻蚀硅

HBr刻蚀Si—溴化氢刻蚀硅

各向同性刻蚀Si—硅的各向同性刻蚀

刻蚀SiGe——刻蚀锗硅

绝缘层上的硅(SOI)的多层刻蚀

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途