牛津仪器Etch刻蚀工艺牛津仪器

化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN
刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP
感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs
刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb
刻蚀锑化镓刻蚀GaN
刻蚀氮化镓刻蚀InSb
刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAsP
刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀InGaAlP
刻蚀铝镓铟磷刻蚀InP
刻蚀磷化铟刻蚀InAlAs
刻蚀砷化铟铝刻蚀InP/InGaAsP
刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀ZnSe
反应离子刻蚀硒化锌电介质刻蚀(Ta2O5)
五氧化二钽刻蚀Al2O3
刻蚀氧化铝
感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石GST刻蚀
锗锑碲化物的ICP刻蚀技术感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3
刻蚀碲化铋反应离子刻蚀ITO
刻蚀铟锡氧化物干法刻蚀LiNbO3
刻蚀铌酸锂干法刻蚀LiTaO3
刻蚀钽酸锂刻蚀PZT
刻蚀锆钛酸铅刻蚀PbSe
刻蚀硒化铅刻蚀SiC
刻蚀碳化硅
 金属刻蚀Al
感应耦合等离子体刻蚀铝溅射刻蚀Au
溅射刻蚀金刻蚀Cr
刻蚀铬Cu刻蚀（反应离子刻蚀）
刻蚀铜刻蚀Mo
刻蚀钼刻蚀Nb（反应离子刻蚀，感应耦合等离子体）
刻蚀铌刻蚀Ni
刻蚀镍离子束刻蚀Ni
刻蚀镍铬合金溅射刻蚀Pt
溅射刻蚀铂刻蚀Ti
超大刻蚀深度刻蚀Ta
刻蚀钽刻蚀W
刻蚀钨TiN的各向异性刻蚀
刻蚀氮化钛WSi刻蚀
硅化钨刻蚀有机物刻蚀PMMA
刻蚀聚甲基丙烯酸甲酯感应耦合等离子体刻蚀BCB
刻蚀苯并环丁烯刻蚀金刚石
金刚石的刻蚀刻蚀聚酰亚胺
聚酰亚胺的刻蚀聚二甲基硅氧烷(PDMS)刻蚀
刻蚀PR
刻蚀光刻胶硅烷化光刻胶的干法显影（感应耦合等离子体-反应离子刻蚀）
硅烷化光刻胶硅博施刻蚀Si
博施刻蚀硅低温刻蚀Si
低温刻蚀硅混合刻蚀Si
八氟环丁烷-六氟化硫刻蚀硅HBr刻蚀Si
溴化氢刻蚀硅各向同性刻蚀Si
硅的各向同性刻蚀刻蚀SiGe
刻蚀锗硅绝缘层上的硅(SOI)的多层刻蚀

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