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工商注册信息已核实!参考报价: | 面议 | 型号: | Etch |
品牌: | 牛津仪器 | 产地: | 英国 |
关注度: | 913 | 信息完整度: | |
样本: | 典型用户: | 暂无 |
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电介质
刻蚀(Ta2O5)—五氧化二钽
刻蚀Al2O3—刻蚀氧化铝—感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石
GST刻蚀- 锗锑碲化物的ICP刻蚀技术
感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3—刻蚀碲化铋
反应离子刻蚀ITO—刻蚀铟锡氧化物
干法刻蚀LiNbO3—刻蚀铌酸锂
干法刻蚀LiTaO3—刻蚀钽酸锂
刻蚀PZT—刻蚀锆钛酸铅
刻蚀PbSe—刻蚀硒化铅
刻蚀SiC—刻蚀碳化硅
化合物半导体
刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓
深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓
刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓
刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓
刻蚀GaN—刻蚀氮化镓
刻蚀InSb—刻蚀锑化铟
刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷
刻蚀InGaAlP—刻蚀铝镓铟磷
刻蚀InP—刻蚀磷化铟
刻蚀InAlAs—刻蚀砷化铟铝
刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷
刻蚀ZnSe—反应离子刻蚀硒化锌
金属
刻蚀Al—感应耦合等离子体刻蚀铝
溅射刻蚀Au—溅射刻蚀金
刻蚀Cr—刻蚀铬
Cu刻蚀(反应离子刻蚀)—刻蚀铜
刻蚀Mo—刻蚀钼
刻蚀Nb(反应离子刻蚀,感应耦合等离子体)—刻蚀铌
刻蚀Ni—刻蚀镍
离子束刻蚀Ni—刻蚀镍铬合金
溅射刻蚀Pt—溅射刻蚀铂
刻蚀Ti—超大刻蚀深度
刻蚀Ta—刻蚀钽
刻蚀W—刻蚀钨
TiN的各向异性刻蚀—刻蚀氮化钛
WSi刻蚀—硅化钨刻蚀
有机物
刻蚀PMMA—刻蚀聚甲基丙烯酸甲酯
感应耦合等离子体刻蚀BCB—刻蚀苯并环丁烯
刻蚀金刚石—金刚石的刻蚀
刻蚀聚酰亚胺—聚酰亚胺的刻蚀
聚二甲基硅氧烷(PDMS)刻蚀
刻蚀PR—刻蚀光刻胶
硅烷化光刻胶的干法显影(感应耦合等离子体-反应离子刻蚀)—硅烷化光刻胶
硅
博施刻蚀Si—博施刻蚀硅
低温刻蚀Si—低温刻蚀硅
混合刻蚀Si—八氟环丁烷-六氟化硫刻蚀硅
HBr刻蚀Si—溴化氢刻蚀硅
各向同性刻蚀Si—硅的各向同性刻蚀
刻蚀SiGe——刻蚀锗硅
绝缘层上的硅(SOI)的多层刻蚀
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