筑梦苍穹 | 广电计量软错误率试验，筑牢全场景抗辐防线

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广电计量基于深厚的可靠性试验经验，推出软错误率试验服务，严格依据国际通用方法，为客户提供全面、准确的辐射敏感性评估。

我们如何开展软错误率试验？

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我们模拟两大类主要辐射来源，开展针对性试验：

模拟器件封装材料中放射性同位素释放的α粒子对芯片的影响。采用Am-241或Th-232放射源，对开封并露出DIE的预处理样品进行辐照，记录错误直至100个，达到统计显著性。

其他要求：FLIP-CHIP封装不能进行此实验， α粒子无法穿透衬底；试验后存在放射性沾染，不建议测试板回收。

模拟器件在不同海拔/纬度/经度下遭受大气中子辐射产生的软错误现象，推荐使用更真实还原实际环境的散列中子源进行试验。

特殊要求：实验过程中需实时监测并记录错误直至100个，方达到统计显著性。

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以标准化计算逻辑精准量化软错误率，搭配符合严苛要求的专业测试系统，确保试验数据真实、可靠、无遗漏。

●核心单位：FIT（每 10⁹器件小时数的错误）；

●计算公式：FIT（总）=[总错误次数Events（SEU、MCU、SEL等）/ 器件Device小时数]×10⁹，同理可拆分单粒子错误、多粒子错误等细分指标；

●等效换算：若试验粒子通量是实际通量的N倍，等效小时数=试验时间×N；

●关键前提：需明确器件实际遭受的辐射环境（封装体α粒子放射性、服役环境大气中子谱、海拔等）。

计算公式

●承载方式：支持焊接或 Socket 承载待测器件；

●电压调节：可施加并灵活改变供电电压，适配不同工作状态；

●数据采集：能对器件进行读写操作，抓取物理地址信息，区分SEU和MBU错误类型；

●抗干扰设计：控制回路与承载板采用字母板方式，线缆屏蔽处理，避免辐射与电噪声干扰；

●测试优化：关闭 ECC 纠错功能，确保单 / 多位翻转均能被监测。

●向量选择：推荐 “棋盘格” 向量，确保0和1布局平均，优先交替物理位（需明确器件布局）；

●偏置电压：需覆盖所有可能的供电状态，满足用户对软错误率与供电关系的研究需求；

●DRAM专项优化：减少读写间隔死时间（避免错误率低估），采用即时读写模式，写补码并核实地址与数据对应关系，禁止整体读写。

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●搭载高性能ATE测试平台，支持实时读写、错误抓取与地址追踪。

●独立设计承载板与控制系统，避免辐射干扰，确保数据纯净。

●支持区分SEU与MBU，适配SRAM、DRAM等大于1Mbit的存储类器件。

在航空航天、卫星、国防等高可靠应用场景中，软错误不再是“小概率事件”，而是必须系统评估与防控的关键风险。

文：集成电路测试与分析事业部 岳龙、品牌策划中心 吴御驱

编辑：品牌策划中心 杨茜

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