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PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器,光电子,分立元器件和纳米技术。它具有研究和开发需要的灵活性, 同时具备量产所需要的质量可靠性。
电极的适用温度范围宽,-150°C至400°C
兼容200mm以下所有尺寸的晶圆
快速更换到不同尺寸的晶圆工艺
购置成本低且易于维护
紧密的设计,布局灵活
实时清洗和终点监测
特征
牛津仪器的PlasmaPro 100系列具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力。该工艺模式可提供出色的均匀性,高产量和高精度的工艺。
通过均匀的高导通路径连接的腔室,将反应粒子输送到衬底 - 在维持低气压的同时,允许使用较高的气体通量
高度可变的下电极 - 充分利用等离子体的三维特性,在适合的高度条件下,衬底厚度最大可达10mm
电极的温度范围宽(-150°C至+ 400°C),可通过液氮,液体循环制冷机或电阻丝加热 - 可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换
由再循环制冷机单元供给的液体控温的电极 - 出色的衬底温度控制
射频功率加载在喷头上,同时优化气体输送 - 提供具有低频/射频切换功能的均匀的等离子体工艺,可精确控制薄膜应力
ICP源尺寸为65mm,180mm,300mm - 确保最大200mm晶圆的工艺均匀性
高抽气能力 - 提供了更宽的工艺气压窗口
晶圆压盘与背氦制冷 - 更适合的晶片温度控制
应用
III-V族材料的刻蚀工艺
固体激光器InP刻蚀
VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
射频器件低损伤GaN刻蚀
硅 Bosch和超低温刻蚀工艺
类金刚石(DLC)沉积
二氧化硅和石英刻蚀
用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺,可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆
沉积高质量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜,用于光子学、电介质层、钝化等诸多其它用途
用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀
牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备,PlasmaPro 100 Cobra
牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备信息由牛津仪器科技(上海)有限公司为您提供,如您想了解更多关于牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。
牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用硅 Bosch和超低温刻蚀工艺
牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用射频器件低损伤GaN刻蚀
牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用固体激光器InP刻蚀
牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用III-V族材料的刻蚀工艺
牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀 应用硅 Bosch和超低温刻蚀工艺
牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀 应用射频器件低损伤GaN刻蚀
牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀 应用VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
牛津仪器PlasmaPro100 ALE 原子层刻蚀
牛津仪器PlasmaPro 100 系统-2017 PlasmaPro-100-Brochure
失效分析
纳米材料生长和表征
半导体制造解决方案
Plasma Solutions for Optoelectronic Semiconductor Device Manufacture
Plasma Solutions for Discrete Semiconductor Device Manufacture
“2019牛津仪器等离子技术论坛——光电及微机电器件制造工艺解决方案”是由牛津仪器主办的针对等离子技术在光电及微机电应用领域的信息共享盛会。本次活动我们将邀请来自中山大学、华中科技大学、Axitron、深圳珑璟光电技术、湖南启泰传感科技、以及牛津仪器的技术专家为大家呈现行业最前沿的信息与应用实例,同时针对一些应用中存在的问题进行阐述并给出一些合理化的建议。时间:2019年10月31日 9:00 -16:00地点:武汉华科大希尔顿欢朋酒店(东湖新技术开发区关
氮化镓(GaN)由于其宽禁带特性而成为电力电子产品的优质材料。随着交通电气化,GaN功率器件变得越来越重要,器件成本和效率也随之成为了关键要素。对于许多应用而言,增强型或常闭模式器件对于故障安全要求是非常必要的,并且栅介电层(例如Al2O3)对于获得更高效的在增强型模式下工作的器件也是至关重要的。以下是ALD技术使GaN功率器件增效的五个方面:膜质量 (Film Quality)一致性 (Conformality)可控性 (Control)低损伤 (Low
牛津仪器等离子部(OIPT)— 等离子刻蚀与沉积光电解决方案供应商,宣布位于台湾新竹的工业技术研究院(ITRI)已选择采用OIPT多套包含刻蚀与沉积的PlasmaPro 100系统用于他们的MicroLEDs研发项目。ITRI作为世界知名的技术研发机构之一,推动了台湾的产业向创新方向转型。该机构自成立以来共孵化了270多家创新型企业,其中包括联华电子(UMC)、台积电(TSMC)等知名企业。电子与光电子系统研究实验室副主任方博士评论说:“ITRI与牛津仪器
“等离子技术在刻蚀工艺中的应用研讨会”是由牛津仪器主办的针对等离子技术在刻蚀工艺中的信息共享盛会。本次活动我们将邀请来自西电大学、西北工业大学以及牛津仪器的技术专家为大家呈现行业最前沿的信息与应用实例,同时针对一些应用中存在的问题进行阐述并给出一些合理化的建议。等离子技术在刻蚀工艺中的应用 2018年11月7日 9:00 -17:00 西安天骊君廷大酒店 · 少华厅(西安市雁塔区太白南路198号)主要议题:(以下议题会有略微
牛津仪器等离子技术部(OIPT)—现今光电设备制造商的领导者,宣布华芯半导体Sino-semic将选择OIPT的Cobra®plasma刻蚀系统做为他们在泰州的生产制造设备。华芯半导体Sino-semic作为中国第一个VCSELs人脸识别芯片的开发商和制造商,认为牛津仪器的工艺能力和本地支持是他们决定采用高性能电感耦合等离子体(ICP)蚀刻Cobra系统的关键因素。华芯半导体Sino-semic的副总经理李军评论:“我们之所以选择牛津仪器作为我们ICP刻蚀
我在瑞士洛桑联邦理工学院攻读硕士期间,第一次能够感受到亚原子粒子的不可思议。牛顿提出的经典定律在这里完全不适用,你需要用量子力学—— 一个完全不同的物理框架来理解这个奇妙的世界。这个世界里存在着各种奇妙现象,例如同时存在于多个状态的粒子,拥有穿墙而过的能力等。一位伟大的丹麦物理学家,Neils Bohr在20世纪20年代奠定了量子力学的基础,并且说道:“只有被量子理论所震撼过,才能真正领悟其精髓”如今,科学家们不仅对量子世界有了更多的了解(注意:我没有说完
Micro LED是一项可能会彻底变革显示器行业的新技术,三星在CES2018上推出的146英寸Micro LED电视“The Wall”就是一个很好的例子,它呈现了超凡的对比度和亮度。Micro LED技术相比于OLED,不仅能提供更好的画质,并可减少能耗,提高产品寿命。三星并不是唯一一个投资此项技术的公司,其他主要消费品供应商如苹果和索尼也在寻求如何进一步发展他们的产品,将此技术运用在智能手表,手机以及AR(增强现实)/VR(虚拟现实)上。这项技术的诞
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