等离子增强化学气相沉积PECVD PlasmaPro 80

简介

PlasmaPro 80是一款结构紧凑、使用便捷的小型直开式系统，适用于多种刻蚀和沉积工艺。其直开式设计便于快速装卸晶圆，具备出色的刻蚀控制、晶圆温度均匀性和高衬底温度控制。该系统购置成本低，符合半导体行业S2/S8标准，并具有优化电冷却、高导通径向抽气结构和数据记录功能，确保工艺均匀性和速率。此外，它还支持激光终点监测和发射光谱监测，便于设备维护和故障诊断。

1. 产品概述

PlasmaPro 80是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究、原型设计和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电冷却和出色的衬底温度控制来实现高性能工艺。

2. 特色参数

直开式设计允许快速装卸晶圆

出色的刻蚀控制和速率测定

出色的晶圆温度均匀性

晶圆大可达200mm

购置成本低

符合半导体行业 S2 / S8标准

小尺寸系统——易于安置

优化了的电冷却——衬底温度控制

高导通的径向（轴对称）抽气结构—— 确保提升了工艺均匀性和速率

增加了<500毫的数据记录功能——可追溯腔室和工艺条件的历史记录

近距离耦合涡轮泵——提供优秀的泵送速度加快气体的流动速度

关键部件容易触及——系统维护变得直接简单

X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力， 并且可以实现更快更可重复的匹配

通过端软件进行设备故障诊断——故障诊断速度快

用干涉法进行激光终点监测——在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界

用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测—— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测 

• 高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途

• 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀

系统特点

• 小尺寸系统——易于安置

• 优化了的电极冷却——衬底温度控制

• 高导通的径向（轴对称）抽气结构—— 确保提升了工艺均匀性和速率

• 增加了<500毫秒的数据记录功能——可追溯腔室和工艺条件的历史记录

• 近距离耦合涡轮泵——提供优越的泵送速度加快气体的流动速度

• 关键部件容易触及——系统维护变得直接简单

• X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力， 并且可以实现更快更可重复的匹配

• 通过前端软件进行设备故障诊断——故障诊断速度快

• 用干涉法进行激光终点监测——在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界

• 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测—— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测

新增: PTIQ软件

PTIQ是针对PlasmaPro和Ionfab工艺系统而开发的最新智能软件解决方案。

● 对响应系统出色的控制水平

● 最大化系统性能与工艺性能

● 多级别软件配置以匹配用户需求

● 全新的视觉布局与设计界面

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