您好,欢迎您查看分析测试百科网,请问有什么帮助您的?
如果企业客服不在线,也可拨打400电话联系。或者发布求购信息
System 100 -等离子刻蚀与沉积设备
该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进行快速的晶片更换、采用多种工艺气体并扩大了允许的温度范围。
具有工艺灵活性,适用于化合物半导体,光电子学,光子学,微机电系统和微流体技术, PlasmalabSystem100可以有很多的配置,详情如下。
主要特点
可处理8 "晶片,也具有小批量(6 × 2")预制和试生产的能力
选择单晶片/批处理或盒式进样,采用真空进样室。 该PlasmalabSystem100可以集成到一个集群系统中,采用中央机械手传送晶片,生产工艺中采用全片盒到片盒晶片传送. 采用一系列的电极进行衬底温度控制,其温度范围为-150 ° C至700° C
用于终端检测的激光干涉和/或光发射谱可安装在Plasmalab System100以加强刻蚀控制
选的6 或12路气箱为工艺流程和工艺气体提供了选择上的灵活性,并可以放置在远端,远离主要工艺设备
工艺
一些使用Plasmalab System100等离子刻蚀与沉积设备的例子:
低温硅刻蚀,深硅刻蚀和SOI工艺,应用于MEMS ,微流体技术和光子技术
用于激光器端面的III - V族刻蚀工艺,通过刻蚀孔、光子晶体和许多其他应用,材料范围广泛(InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等)
GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺,比如HBLED和其它功率器件的刻蚀
高品质,高速率SiO2沉积,应用于光子器件
金属(Nb, W)刻蚀
zei新的单晶片刻蚀技术-PlasmaPro100 Sapphire。牛津仪器致力于固态照明的技术革新,凭着在HBLED相关材料方面经验丰富,设备使用成本控制和符合产量要求的同时,我们的新技术还可以zei大化地提高客户的产品良率。
针对HBLED苟刻的化学环境要求,PlasmaPro100 Sapphire具有特殊的设计,可以在直径为200mm的晶片上进行快速和均匀的刻蚀。牛津仪器一直努力地为客户提供创新的、有效控制成本和可靠的工艺方案。这个zei新设计的设备满足了所有的要求。
主要特点和优势包括:具有独家的静电吸盘技术,能固定蓝宝石,和生长蓝宝石或硅上的氮化镓;高功率的ICP能生产出高密度的等离子体;磁隔离区可提高离子控制和均匀性;高电导泵水系统可以在低压下zei大化地运送气体。
牛津仪器PlasmaPro 100 PECVD等离子体增强化学气相沉积系统,PlasmaPro 100 PECVD
牛津仪器PlasmaPro 100 PECVD等离子体增强化学气相沉积系统信息由牛津仪器科技(上海)有限公司为您提供,如您想了解更多关于牛津仪器PlasmaPro 100 PECVD等离子体增强化学气相沉积系统报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。
牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用硅 Bosch和超低温刻蚀工艺
牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用射频器件低损伤GaN刻蚀
牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用固体激光器InP刻蚀
牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用III-V族材料的刻蚀工艺
牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀 应用硅 Bosch和超低温刻蚀工艺
牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀 应用射频器件低损伤GaN刻蚀
牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀 应用VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
纳米材料生长和表征
失效分析
半导体制造解决方案
JC/T 2243-2014 等离子体增强化学气相沉积工艺用覆膜石英管
GJB 10219-2021 航天器用固体润滑膜层规范
T/CGIA 004.1-2022 石墨烯材料 绿色制备与温室气体排放核算指南 第1部分:石墨烯薄膜
SAE AMS2427-2011 镀铝离子气相沉积
DB44/ 1597-2015 电镀水污染物排放标准
T/GVS 010-2022 真空卷绕镀膜设备通用技术要求
JC/T 2068-2011 镀膜玻璃生产规程
SJ/T 10152-1991 集成电路主要工艺设备术语
JB/T 7673-2011 真空技术 真空设备型号编制方法
DB33/ 2260-2020 电镀水污染物排放标准
JB/T 8927-1999 铝及铝合金等离子体增强电化学表面陶瓷化(PECC)膜/有机涂层
T/CSEA 15-2021 真空磁控溅射镀银工艺及质量检验
GB/T 31860-2015 镀膜用氟化镁
GB/T 2900.104-2021 电工术语 微机电装置
GB/T 40728-2021 再制造 机械产品修复层质量检测方法
GB/T 13913-2008 金属覆盖层.化学镀镍-磷合金镀层.规范和试验方法
GB/T 26111-2010 微机电系统(MEMS)技术 术语
GB/T 11164-2011 真空镀膜设备通用技术条件
GB/T 32484-2022 表壳体及其附件 气相沉积镀层
GB/T 32484-2016 表壳体及其附件 气相沉积镀层
生物药工艺开发与优化
活细胞内RNA动力学追踪成像新工具
2024仪器设备更新升级选型网络论坛—实验室常用仪器专场
锂电池关键材料检测技术及应用
系列webinar第一期 | 牛津仪器材料分析技术在新能源材料研发中的应用——基于扫描电镜的元素及结构微区分析技术介绍
如何查找AZtec里的帮助文件?
就在明天 | 牛津仪器Unitiy - 化学成像系统研讨会
活动报名 | 牛津仪器Unitiy - 化学成像系统研讨会
视频级扫描揭示二维分子阵列的自组装动力学
Oi Service直播讲堂:AZtec有标定量分析流程
Copyright ©2007 ANTPedia, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号