牛津仪器PlasmaPro 100 PECVD等离子体增强化学气相沉积系统

System 100 -等离子刻蚀与沉积设备

该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进行快速的晶片更换、采用多种工艺气体并扩大了允许的温度范围。 

具有工艺灵活性，适用于化合物半导体，光电子学，光子学，微机电系统和微流体技术， PlasmalabSystem100可以有很多的配置，详情如下。

主要特点

• 可处理8 "晶片，也具有小批量（6 × 2"）预制和试生产的能力

• 选择单晶片/批处理或盒式进样，采用真空进样室。 该PlasmalabSystem100可以集成到一个集群系统中，采用中央机械手传送晶片，生产工艺中采用全片盒到片盒晶片传送. 采用一系列的电极进行衬底温度控制，其温度范围为-150 ° C至700° C

• 用于终端检测的激光干涉和/或光发射谱可安装在Plasmalab System100以加强刻蚀控制

• 选的6 或12路气箱为工艺流程和工艺气体提供了选择上的灵活性，并可以放置在远端，远离主要工艺设备

工艺

一些使用Plasmalab System100等离子刻蚀与沉积设备的例子：

• 低温硅刻蚀，深硅刻蚀和SOI工艺，应用于MEMS ，微流体技术和光子技术

• 用于激光器端面的III - V族刻蚀工艺，通过刻蚀孔、光子晶体和许多其他应用，材料范围广泛（InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等）

•  GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺，比如HBLED和其它功率器件的刻蚀

• 高品质，高速率SiO2沉积，应用于光子器件

• 金属（Nb, W）刻蚀

   zei新的单晶片刻蚀技术-PlasmaPro100 Sapphire。牛津仪器致力于固态照明的技术革新，凭着在HBLED相关材料方面经验丰富，设备使用成本控制和符合产量要求的同时，我们的新技术还可以zei大化地提高客户的产品良率。

    针对HBLED苟刻的化学环境要求，PlasmaPro100 Sapphire具有特殊的设计，可以在直径为200mm的晶片上进行快速和均匀的刻蚀。牛津仪器一直努力地为客户提供创新的、有效控制成本和可靠的工艺方案。这个zei新设计的设备满足了所有的要求。

   主要特点和优势包括：具有独家的静电吸盘技术，能固定蓝宝石，和生长蓝宝石或硅上的氮化镓；高功率的ICP能生产出高密度的等离子体；磁隔离区可提高离子控制和均匀性；高电导泵水系统可以在低压下zei大化地运送气体。

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途