牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀

我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可达90%以上，一旦设备安装完毕，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广，包括但不限于： MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性，可用于研究和开发，通过打造质量满足生产需求。

特点与应用

• 更好的均匀性、高产量以及高精度的工艺

• 高质量薄膜

• 电极的适用温度范围宽

• 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆

• 快速更换不同尺寸晶圆

• 购置成本低且易于维护

• 紧密的设计，布局灵活

• 电阻丝加热电极，最高温度可达400°C或1200°C

• 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺

  
  

• 在低温度下沉积低损伤的薄膜

• 可沉积的典型材料包括： SiO2、Si3N4 、 SiON、Si 和 SiC，衬底温度可低至5ºC 

• 65mm、180mm、300mm 尺寸的ICP源 提供了工艺的均匀性

• 晶圆尺寸高至200mm

• 电极的温度范围为5ºC至400ºC

• 已获得ICPCVD气体配送技术

• 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺

  
  

  
  

新增: PTIQ软件

PTIQ是针对PlasmaPro和Ionfab工艺系统而开发的最新智能软件解决方案。

● 对响应系统出色的控制水平

● 最大化系统性能与工艺性能

● 多级别软件配置以匹配用户需求

● 全新的视觉布局与设计界面

升级/配件

气柜 —— 包含额外的气体管线，提供更大的灵活性

Logviewer 软件 —— 数据记录软件允许实时绘图和事后分析

光学终点探测 —— 实现更好工艺结果的重要工具

前级减流阀 —— 允许腔室缓慢的开始抽真空

涡轮分子真空泵 —— 提供泵送速度加快气体的流动速度

X20控制系统 —— 提供具有前瞻性的，灵活可靠的设备，增强系统“智能性”

AE Paramount射频发生器 —— 提供更高的可靠性和更好的等离子体稳定性

自动压力控制 —— 该控制器可确保快速准确的压力控制

双CM表开关 —— 具有通过单个压力控制阀使用两个不同范围电容压力计的能力

LN2自动切换装置 —— 使工作台的冷却液能够在液氮（LN2）与制冷机模式之间自动切换

TEOS液位传感 —— 使用安装在TEOS罐上的超声波液位传感器实现液位传感

宽温度范围电极 —— 提高工艺性能的重要设计改进

PlasmaPro 100 ALE 的特点:

• 准确的刻蚀深度控制；

• 光滑的刻蚀表面

• 低损伤工艺

• 数字化/循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD

• 高选择比

• 能加工最大200mm的晶圆

• 高深宽比（HAR）刻蚀工艺

• 非常适于刻蚀纳米级薄层

应用

• III-V族材料刻蚀工艺

• 固体激光器InP刻蚀

• VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀

•  射频器件低损伤GaN刻蚀

• 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺

•  类金刚石（DLC）沉积

•  二氧化硅和石英刻蚀

• 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖逆工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆

• 高质量PECVD沉积的氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途

• 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀

牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀信息由牛津仪器科技（上海）有限公司为您提供，如您想了解更多关于牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。