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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备

参考报价: 面议 型号: PlasmaPro 100 Cobra
品牌: 牛津仪器 产地: 英国
关注度: 3405 信息完整度:
样本: 典型用户: 暂无
价格范围100万-150万
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AI问答
可以做哪些实验,检测什么? 可以用哪些耗材和试剂?

PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。

我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器,光电子,分立元器件和纳米技术。它具有研究和开发需要的灵活性, 同时具备量产所需要的质量可靠性。

  • 电极的适用温度范围宽,-150°C至400°C

  • 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆

  • 快速更换到不同尺寸的晶圆工艺

  • 购置成本低且易于维护

  • 紧密的设计,布局灵活

  • 实时清洗和终点监测

特征

牛津仪器的PlasmaPro 100系列具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力。该工艺模式可提供出色的均匀性,高产量和高精度的工艺。

  • 通过均匀的高导通路径连接的腔室,将反应粒子输送到衬底 - 在维持低气压的同时,允许使用较高的气体通量

  • 高度可变的下电极 - 充分利用等离子体的三维特性,在适合的高度条件下,衬底厚度最大可达10mm

  • 电极的温度范围宽(-150°C至+ 400°C),可通过液氮,液体循环制冷机或电阻丝加热 - 可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换

  • 由再循环制冷机单元供给的液体控温的电极 - 出色的衬底温度控制

  • 射频功率加载在喷头上,同时优化气体输送 - 提供具有低频/射频切换功能的均匀的等离子体工艺,可精确控制薄膜应力

  • ICP源尺寸为65mm,180mm,300mm - 确保最大200mm晶圆的工艺均匀性

  • 高抽气能力 - 提供了更宽的工艺气压窗口

  • 晶圆压盘与背氦制冷 - 更适合的晶片温度控制

应用

  • III-V族材料的刻蚀工艺

  • 固体激光器InP刻蚀

  • VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀

  • 射频器件低损伤GaN刻蚀

  • 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺

  • 类金刚石(DLC)沉积

  • 二氧化硅和石英刻蚀

  • 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺,可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆

  • 沉积高质量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜,用于光子学、电介质层、钝化等诸多其它用途

  • 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀

牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备信息由牛津仪器科技(上海)有限公司为您提供,如您想了解更多关于牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。

注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途

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