牛津仪器刻蚀机

我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性,可用于研究和开发,通过打造质量满足生产需求。特点与应用更好的均匀性、高产量以及高精度的工艺高质量薄膜电极的适用温度范围宽兼容200mm以下所......

日本NS离子刻蚀机

参考成交价格: 300万元[人民币]

NS 电子束刻蚀设备

型号:20IBE

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图片仅供参考, 价格货期电议, 一切已实际成交合同为准伯东 Hakuto / NS 共同研发的离子束刻蚀机 IBE , 日本原装设计制造, 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 纳米级别材料的表面刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5%. 由于是不伴随化学反应的物理蚀刻工艺, IBE 刻蚀机几乎满足所有材料的刻蚀. 例如磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属......

化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀InSb—刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀InGaAlP—刻蚀铝镓铟磷刻蚀InP—刻蚀磷化铟刻蚀InAlAs—刻蚀砷化铟铝刻蚀InP/......

 牛津仪器Etch刻蚀工艺 有了在刻蚀工艺发展上无比广泛的经验和我们应用工程师的支持, 牛津仪器向世界范围内的生产商和研发者提供刻蚀工艺解决方案的经验向我们提供了强大的刻蚀工艺库和刻蚀工艺能力。请与我们联系,讨论您的特定需求,我们专业的销售和应用工作人员将很高兴帮助您选择合适的刻蚀工艺和工具,以满足您的需求。化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/Al......

电介质刻蚀(Ta2O5)—五氧化二钽刻蚀Al2O3—刻蚀氧化铝—感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石GST刻蚀- 锗锑碲化物的ICP刻蚀技术感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3—刻蚀碲化铋反应离子刻蚀ITO—刻蚀铟锡氧化物干法刻蚀LiNbO3—刻蚀铌酸锂干法刻蚀LiTaO3—刻蚀钽酸锂刻蚀PZT—刻蚀锆钛酸铅刻蚀PbSe—刻蚀硒化铅刻蚀SiC—刻蚀碳化硅化合物半导体刻蚀A......

品牌:牛津仪器型号:PlasmaPro100 Estrelas产地:欧洲PlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻(DSiE)领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统(MEMS)、 先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展,PlasmaPro 100 Estrelas 提供了工艺灵活性。光滑侧壁工艺高......

PlasmaPro100 EstrelasPlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻(DSiE)领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统(MEMS)、 先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展,PlasmaPro 100 Estrelas 提供了工艺灵活性。光滑侧壁工艺高刻蚀速率腔刻蚀高深宽比工艺锥形......

LAM 2300 Exelan Flex蚀刻机基本介绍LAM 2300 Exelan Flex是泛林集团(Lam Research)推出的高性能等离子体干法蚀刻设备,专为半导体制造工艺设计。该设备结合高精度工艺控制与灵活性,适用于逻辑芯片、存储芯片(如3D NAND、DRAM)及 封装技术(如TSV)的复杂蚀刻需求。LAM 2300 Exelan Flex蚀......

IBE 刻蚀机

参考成交价格: 200万元[人民币]

NS 电子束刻蚀设备

型号:10 IBE

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因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准上海伯东日本原装进口 NS 离子束刻蚀机 10 IBE, 适用于实验室研究 8寸及以下单片的材料刻蚀. 离子束刻蚀机 10 IBE 可选配美国 KRi 考夫曼离子源或终点检测(监测当前气体成分, 监控刻蚀制程).离子束刻蚀机 10 IBE 特性基板尺寸:......

IBE刻蚀机

参考成交价格: 200万元[人民币]

NS 电子束刻蚀设备

型号:10 IBE

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因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准上海伯东日本原装进口 NS 离子束刻蚀机 10 IBE, 适用于实验室研究 8寸及以下单片的材料刻蚀. 离子束刻蚀机 10 IBE 可选配美国 KRi 考夫曼离子源或终点检测(监测当前气体成分, 监控刻蚀制程).离子束刻蚀机 10 IBE 特性基板尺寸:......

厂商新闻
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