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PlasmaPro 800 PECVD化学气相沉积系统为大批量晶圆和 300mm 晶圆的等离子增强化学气相沉积 （PECVD） 工艺提供了灵活的解决方案，它采用了紧凑的开放式装载系统。可实现大型晶圆大规模的批量生产和 300mm 晶圆处理。高性能工艺准确的衬底温度控制准确的工艺控制成熟的300mm单晶圆失效分析工艺产品特点： &nb......
PlasmaPro 80 PECVD化学气相沉积系统是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 PlasmaPro 80 PECVD化学气相沉积系统易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究、原型设计和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高性能工艺。直开式设计......
PlasmaPro 100 PECVD化学气相沉积系统设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。高质量的薄膜，高产量和出色的均匀性电极的适用温度范围宽兼容200mm以下所有尺寸的晶圆可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆成本低且易于维护电阻丝加热电极，最高温度可达400°......
1. 产品概述PlasmaPro 100 ICPCVD化学气相沉积系统专门设计用于在相对较低的生长温度下生产高质量的薄膜，其核心技术是采用高密度远程等离子体来实现。这种设计不仅使得薄膜的成核和生长过程更加可控，还有效地提高了薄膜的物理和化学性能。通过高密度等离子体的使用，利用源自等离子体中的活性物质和离子，能够促进化学反应的发生，使得薄膜在较低的温度环境中仍......
PlasmaPro 80 ICPCVD化学气相沉积系统是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是科学研究、原型设计和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高性能工艺。直开式设计允许快速装卸晶圆出色的刻蚀控制和速率测定出......
PlasmaPro 100 Cobra感应耦合等离子刻蚀是英国牛津仪器公司推出的一款高性能、高灵活性的电感耦合等离子体刻蚀系统。PlasmaPro 100 Cobra感应耦合等离子刻蚀主要服务于半导体、微机电系统、光电子器件及前沿纳米技术等领域的研发与生产，专注于在各类材料上实现高精度、高深宽比的微纳结构刻蚀。核心工作原理其核心优势源于电感耦合等离子体源与反......
PlasmaPro 100 RIE反应离子刻蚀设备可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺。兼容200mm以下所有尺寸的晶圆快速更换不同尺寸晶圆购置成本低且易于维护出色的均匀性，高产量和高工艺精度实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺电极的适用温度范围宽，-150°C至400°CPlasmaPro 100 RIE反应离子刻蚀设备特点：通过均匀的高导通路径连接的腔......
PlasmaPro 80 ICP等离子刻蚀设备是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统，可提供多种刻蚀解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺质量。直开式设计允许快速的进行晶圆装卸，是科学研究、原型设计和少量生产的理想选择。 该设备通过优化了的电极冷却技术和出色的衬底温度控制来实现高度稳定的工艺结果。直开式设计允许快速装卸晶圆出色的刻蚀深度和刻蚀速......
PlasmaPro 100 Estrelas深硅刻蚀设备旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）、 优良封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展，PlasmaPro 100 Estrelas 提供了更加出色的工艺灵活性。光滑侧壁工艺高刻蚀速率腔刻蚀高深宽比工艺 &n......
PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀设备解决方案可提供精确的刻蚀控制，满足GaN HEMT制造商的规格和性能要求。PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀设备结合了针对GaN和AlGaN层优化的全集成Etchpoint®刻蚀深度监控解决方案，可为p-GaN HEMT和凹栅MISHEMT等器件提供低损伤刻蚀和平滑的表面，以及十分优异的目标刻蚀深度精......