电子束直写原理
3D纳米结构高速直写机-NanoFrazor Explore纳米光刻与微米光刻兼顾的联合图形化工艺方案 NanoFrazor光刻技术，衍生于IBM Research研发的热扫描探针光刻技术——快速、地控制纳米针尖的移动及温度，利用热针尖实现对热敏抗刻蚀剂的快速刻写，从而为纳米制造提供了许多新颖的、独特的可能性。NanoFrazor Explore以......
德Zeiss Sigma SEM 电子束直写仪型号：Zeiss Sigma SEM 主要功能：·利用曝光抗蚀剂，采用电子束直接曝光，可在各种衬底材料表面直写各种图形，图形结构（最小线宽为10mm），是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具。广泛应用于纳米器件，光子晶体，低维半导体等前沿领域。 技术指标：·肖特基热场发射电子......
德Zeiss电子束直写仪SEM 型号：Zeiss Sigma SEM 主要功能：·利用曝光抗蚀剂，采用电子束直接曝光，可在各种衬底材料表面直写各种图形，图形结构（最小线宽为10mm），是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具。广泛应用于纳米器件，光子晶体，低维半导体等前沿领域。·技术指标：·肖特基热场发射电子源·加速电压：100V～30kV·......
电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography)电子束直写系统 、 电子束曝光系统CABL-9000C series纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪纳米科技提供尖端 的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。&nbs......
(一). 多功能电子束光刻设备Pioneer Two: Pioneer Two是一款高性价比的成套的电子束光刻设备，采用30kV Gemini电子束技术，应用于2英寸以下晶圆的纳米级光刻、高分辨成像及低压电子束光刻。 20keV下在HSQ胶上曝光亚8nm线条(二). 多功能电子束光刻设备eLine Plus: &nb......
四轴飞秒激光直写系统Spearay-4Axis 系统是针对管状材料精密切割设计的，利用一维高精度旋转轴、两维扫描振 镜、三维XYZ 精密定位系统，结合超快激光微加工特点，能够实现薄壁管材的精密切割、保持表面完整性的表面标刻、和功能性超表面处理。 主要应用• 心血管支架加工• 玻璃管等管状样品切割• 柱状曲面加工配置参数：• 扫描振镜（用于激光划切）......
Quantum Design电子束刻蚀Microwriter ML3用于测定MoS2、Cr2S3，符合行业标准High-Performance Wafer-Scale MoS2 Transistors toward Practical Application. Small 2018, 1803465。适用无掩膜光刻直写项目。 小型台式无掩膜光刻系统&nbs......
Quantum Design电子束刻蚀Microwriter ML3可用于测定MoS2、Cr2S3，适用于无掩膜光刻直写项目。并且参考多项行业标准High-Performance Wafer-Scale MoS2 Transistors toward Practical Application. Small 2018, 1803465。可应用于电子/半导体行......
产品特点：是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统利用步进重复式曝光的优点，结合曝光剂量调整功能及重叠曝光等功能，能支持下一代掩模版/中间掩模版（mask/reticle）图形制作所需要的多种补偿。JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。zei先进......
产品特点：利用步进重复式曝光的优点，结合曝光剂量调整功能及重叠曝光等功能，能支持下一代掩模版/中间掩模版（mask/reticle）图形制作所需要的多种补偿。JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。是基于加速电压50 kV......