400-6699-117转1000
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参考报价: | 面议 | 型号: | CABL-9000C series |
品牌: | EVG | 产地: | 日本 |
关注度: | 1119 | 信息完整度: | |
样本: | 典型用户: | 暂无 |
400-6699-117转1000
电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography)
电子束直写系统 、 电子束曝光系统
CABL-9000C series
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪纳米科技提供尖端 的电子束纳米光刻(EBL)系统,或称电子束直写(EBD)、电子束爆光系统。
型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列最小线宽可达8nm,最小束斑直径2nm,套刻精度 20nm(mean+2σ),拼接精度 20nm(mean+2σ)。
技术参数:
1.最小线宽:小于10nm(8nm available)
2.加速电压:5-50kV
3.电子束直径:小于2nm
4.套刻精度:20nm(mean+2σ)
5.拼接精度:20nm(mean+2σ)
6.加工晶圆尺寸:4-8英寸(standard),12英寸(option)
7.描电镜分辨率:小于2nm
主要特点:
1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪
2.出色的电子束偏转控制技术
3.采用场尺寸调制技术,电子束定位分辨率(address size)可达0.0012nm
4.采用轴对称图形书写技术,图形偏角分辨率可达0.01mrad
5.应用领域广泛,如微纳器件加工,Si/GaAs 兼容工艺,研究用掩膜制造,纳 米加工(例如单电子器件、量子器件制作等),高频电子器件中的混合光刻(Mix & Match),图形线宽和图形位移测量等
超高分辨率电子束光刻EBL
Ultrahigh Resolution EB Lithography (CABL-UH series)
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供尖端 的电子束纳米光刻(EBL)系统,或称电子束直写(EBD)、电子束爆光系统。
超高分辨率的电子束光刻CABL-UH系列的型号包括:
CABL-UH90 (90keV) 、CABL-UH110 (110keV) 、CABL-UH130 (130keV)
技术参数: 咨询:182 6326 2536(微信同号);
加速电压:最高130keV
单段加速能力达到130keV,尽量减少电子枪的长度
超短电子枪长度,无微放电
电子束直径<1.6nm
最小线宽<7nm
双热控制,实现超稳定直写能力
电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography) 电子束直写系统 信息由北京亚科晨旭科技有限公司为您提供,如您想了解更多关于电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography) 电子束直写系统 报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。
注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途