电子束直写光刻的原理
JBX-6300FS 电子束光刻系统JBX-6300FS的电子光学系统在100kV的加速电压下能自动调整直径为（计算值）2.1nm的电子束，简便地描画出线宽在8nm以下（实际可达5nm）的图形。 此外，该光刻系统还实现了9nm以下的场拼接精度和套刻精度，性能比优越。 利用zei细电子束束斑（实测值直径≦2.9nm）可以描画8nm以下(实际可达5nm)极为精细......
JBX-9500FS 电子束光刻系统JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统，兼具世界zei高水平的产出量和定位精度，zei大能容纳300mmφ的晶圆片和6英寸的掩模版，适合纳米压印、光子器件、通信设备等多个领域的研发及生产。产品特点：JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统，兼具世界zei高水平的产出量和定位精度，zei大能......
JBX-3200MV 电子束光刻系统JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统｡产品特点：JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版/......
JBX-3050MV 电子束光刻系统JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统｡产品特点：JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间......
电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography)电子束直写系统 、 电子束曝光系统CABL-9000C series纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪纳米科技提供尖端 的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。&nbs......
Quantum Design电子束刻蚀Microwriter ML3用于测定MoS2、Cr2S3，符合行业标准High-Performance Wafer-Scale MoS2 Transistors toward Practical Application. Small 2018, 1803465。适用无掩膜光刻直写项目。 小型台式无掩膜光刻系统&nbs......
Quantum Design电子束刻蚀Microwriter ML3可用于测定MoS2、Cr2S3，适用于无掩膜光刻直写项目。并且参考多项行业标准High-Performance Wafer-Scale MoS2 Transistors toward Practical Application. Small 2018, 1803465。可应用于电子/半导体行......
产品特点：是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统利用步进重复式曝光的优点，结合曝光剂量调整功能及重叠曝光等功能，能支持下一代掩模版/中间掩模版（mask/reticle）图形制作所需要的多种补偿。JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。zei先进......
产品规格：拼接精度≦±3.8 nm套刻精度≦±7 nmJBX-3050MV 电子束光刻系统JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统｡产品特点：是基于加速电压5......
产品特点：利用步进重复式曝光的优点，结合曝光剂量调整功能及重叠曝光等功能，能支持下一代掩模版/中间掩模版（mask/reticle）图形制作所需要的多种补偿。JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。是基于加速电压50 kV......