电子束直写式曝光
3D纳米结构高速直写机-NanoFrazor Explore纳米光刻与微米光刻兼顾的联合图形化工艺方案 NanoFrazor光刻技术，衍生于IBM Research研发的热扫描探针光刻技术——快速、地控制纳米针尖的移动及温度，利用热针尖实现对热敏抗刻蚀剂的快速刻写，从而为纳米制造提供了许多新颖的、独特的可能性。NanoFrazor Explore以......
ELS-F125是Elionix推出的世界上首款加速电压高达125KV的电子束曝光系统，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点：l 超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应最小化 @ 125 kVl ......
电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography)电子束直写系统 、 电子束曝光系统CABL-9000C series纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪纳米科技提供尖端 的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。&nbs......
(一). 多功能电子束光刻设备Pioneer Two: Pioneer Two是一款高性价比的成套的电子束光刻设备，采用30kV Gemini电子束技术，应用于2英寸以下晶圆的纳米级光刻、高分辨成像及低压电子束光刻。 20keV下在HSQ胶上曝光亚8nm线条(二). 多功能电子束光刻设备eLine Plus: &nb......
(一). 多功能电子束光刻设备Pioneer Two: Pioneer Two是一款高性价比的成套的电子束光刻设备，采用30kV Gemini电子束技术，应用于2英寸以下晶圆的纳米级光刻、高分辨成像及低压电子束光刻。 20keV下在HSQ胶上曝光亚8nm线条(二). 多功能电子束光刻设备eLine Plus: &nb......
产品规格：拼接精度≦±3.5 nm套刻精度≦±5 nmJBX-3200MV 电子束光刻系统JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统｡产品特点：利用步进重复式......
上海纳滕高精度电子束曝光系统 具有高通量的特点ELS-F125是Elionix推出的世界上首款加速电压高达125KV的电子束曝光系统，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点：l 超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应最小......
上海纳滕高精度电子束曝光系统 具有超高书写精度特点ELS-F125是Elionix推出的世界上首款加速电压高达125KV的电子束曝光系统，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点：l 超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应......
上海纳滕高精度电子束曝光系统 具有均匀性好特点ELS-F125是Elionix推出的世界上首款加速电压高达125KV的电子束曝光系统，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点：l 超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应最小......
上海纳滕高精度电子束曝光系统 具有易于控制的电子束条件ELS-F125是Elionix推出的世界上首款加速电压高达125KV的电子束曝光系统，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点：l 超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近......