电子束图形曝光
产品详情美国JC Nabity Lithography Systems公司一直致力于基于商品SEM、STEM或FIB的电子束光刻装置的研制，其研发的EBL电子束曝光系统（Nanometer Pattern Generation System纳米图形发生系统，简称NPGS）技术优异，世界各地越来越多的用户包括大学、科研机构及政府实验室在使用NPGS进行EBL研......
ELS-F125是Elionix推出的世界上首款加速电压高达125KV的电子束曝光系统，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点：l 超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应最小化 @ 125 kVl ......
(一). 多功能电子束光刻设备Pioneer Two: Pioneer Two是一款高性价比的成套的电子束光刻设备，采用30kV Gemini电子束技术，应用于2英寸以下晶圆的纳米级光刻、高分辨成像及低压电子束光刻。 20keV下在HSQ胶上曝光亚8nm线条(二). 多功能电子束光刻设备eLine Plus: &nb......
JBX-3050MV 电子束光刻系统JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统｡产品特点：JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间......
产品特点：JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统利用步进重复式曝光的优点，结合曝光剂量调整功能及重叠曝光等功能，能支持下一代掩模版/中间掩模版（mask/ret......
产品规格：拼接精度≦±3.5 nm套刻精度≦±5 nmJBX-3200MV 电子束光刻系统JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统｡产品特点：利用步进重复式......
上海纳滕高精度电子束曝光系统 具有高通量的特点ELS-F125是Elionix推出的世界上首款加速电压高达125KV的电子束曝光系统，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点：l 超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应最小......
上海纳滕高精度电子束曝光系统 具有超高书写精度特点ELS-F125是Elionix推出的世界上首款加速电压高达125KV的电子束曝光系统，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点：l 超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应......
上海纳滕高精度电子束曝光系统 具有均匀性好特点ELS-F125是Elionix推出的世界上首款加速电压高达125KV的电子束曝光系统，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点：l 超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应最小......
上海纳滕高精度电子束曝光系统 具有易于控制的电子束条件ELS-F125是Elionix推出的世界上首款加速电压高达125KV的电子束曝光系统，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点：l 超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近......