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仪器简介:
无损测量迁移率、载流子浓度、方块电阻; 测量样品包括:GaAs (pHEMT, HEMT, HBT),GaN(HEMT),SiGe,InP,Si等;
样品尺寸:不大于6英寸晶圆; 迁移率:up to 20,000 cm2/v.s; 载流子浓度:exp(+10) – exp(+14)/cm2; 方块电阻:大于100ohm/square;
1)无须霍尔电极的制作,为无损测量,不破坏样品; 2)无须样品准备,无须考虑欧姆接触; 3)可以得到扫描数据,能够得到迁移率、电阻率、载流子浓度的三维分布及二维等高图;
非接触迁移率测量系统,1610,1605
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