等离子沉积参数
System 100 -等离子刻蚀与沉积设备该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进行快速的晶片更换、采用多种工艺气体并扩大了允许的温度范围。 具有工艺灵活性，适用于化合物半导体，光电子学，光子学，微机电系统和微流体技术， PlasmalabSystem100可以有很多的配置，详情如下。主要特点可处理8 &q......
等离子体中的电子温度驱动化学反应，而不是靠中性气体温度，这使得塑料或纺织物等材料的处理成为可能，因为这些材料将无法在CVD温度下存在。这种工艺最适合在不同基片上沉积均匀性良好的氮化硅、非晶硅和微晶硅薄膜，例如光学玻璃、硅、石英和不锈钢。System 100 -等离子刻蚀与沉积设备该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进......
根据等离子体的类型，PECVD反应器被分为直接或远程系统。 在直接PECVD工艺中，所有反应气体（SiH4、Cl2、SF6）和任何惰性气体（Ar）的等离子体激发都是在反应器中进行的，基片就放在反应器中。这意味着基片也被浸泡在等离子体中。直接PECVD反应器的一个主要缺点是，由于离子轰击，可能会有造成表面损伤，这增加了受影响区域的重组率。Syste......
电弧等离子体沉积系统日本ADVANCE RIKO公司致力于电弧等离子体沉积系统（APD）利用脉冲电弧放电将电导材料离子化，产生高能离子并沉积在基底上，制备纳米级薄膜镀层或纳米颗粒。电弧等离子体沉积系统利用通过控制脉冲能量，可以在1.5nm到6nm范围内控制纳米颗粒直径，活性好，产量高。多种靶材同时制备可生成新化合物。金属/半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生......
牛津仪器等离子体增强化学气相沉积系统PlasmaPro 100 PECVD可以用在纳米材料行业领域，用来检测Nano Material，可完成Nano Material项目。符合多项行业标准Oxford Instruments。 纳米材料生长和表征 选择单晶片/批处理或盒式进样，采用真空进样室。 该PlasmalabSystem100可以集成到一个集群系统中......
牛津仪器镀膜机PlasmaPro 100 PECVD可以用在纳米材料行业领域，用来检测Power Semiconductors，可完成Power Semiconductors项目。符合多项行业标准Oxford Instruments。 半导体制造解决方案 System 100 -等离子刻蚀与沉积设备该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采......
牛津仪器镀膜机PlasmaPro 100 PECVD用于测定Power Semiconductors，符合行业标准Oxford Instruments。适用Power Semiconductors项目。 半导体制造解决方案 System 100 -等离子刻蚀与沉积设备该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进行快速的晶片......
牛津仪器镀膜机PlasmaPro 100 PECVD用于测定Nano Material，符合行业标准Oxford Instruments。适用Nano Material项目。 纳米材料生长和表征 选择单晶片/批处理或盒式进样，采用真空进样室。 该PlasmalabSystem100可以集成到一个集群系统中，采用中央机械手传送晶片，生产工艺中采用全片盒到片盒晶......
ADVANCE RIKO电弧等离子体沉积系统暂无用于测定铂-镍合金纳米颗粒堆叠薄膜，符合行业标准N. Todoroki, et al., Pt−Ni Nanoparticle-Stacking Thin Film: Highly Active Electrocatalysts for Oxygen Reduction Reaction. ACS Catal.......
ADVANCE RIKO电弧等离子体沉积系统暂无可用于测定铂-镍合金纳米颗粒堆叠薄膜，适用于双电弧等离子体源共沉积项目。并且参考多项行业标准N. Todoroki, et al., Pt−Ni Nanoparticle-Stacking Thin Film: Highly Active Electrocatalysts for Oxygen Reductio......