镓铟合金
仪器简介：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ―――常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs） ――TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/......
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀InSb—刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀InGaAlP—刻蚀铝镓铟磷刻蚀InP—刻蚀磷化铟刻蚀InAlAs—刻蚀砷化铟铝刻蚀InP/......
产品概述TE 制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE 具有相同的外观设计，其探测元件均使用进口二级制冷铟镓砷探测器。光谱响应度曲线参考图（虚线为某款国产InGaAs对比曲线） 铟镓砷探测器使用建议：■ DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前......
品牌:牛津仪器型号:Etch产地:欧洲有了在刻蚀工艺发展上无比广泛的经验和我们应用工程师的支持， 牛津仪器向世界范围内的生产商和研发者提供刻蚀工艺解决方案的经验向我们提供了强大的刻蚀工艺库和刻蚀工艺能力。请与我们联系，讨论您的特定需求，我们专业的销售和应用工作人员将很高兴帮助您选择合适的刻蚀工艺和工具，以满足您的需求。化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/Al......
电介质刻蚀(Ta2O5)—五氧化二钽刻蚀Al2O3—刻蚀氧化铝—感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石GST刻蚀- 锗锑碲化物的ICP刻蚀技术感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3—刻蚀碲化铋反应离子刻蚀ITO—刻蚀铟锡氧化物干法刻蚀LiNbO3—刻蚀铌酸锂干法刻蚀LiTaO3—刻蚀钽酸锂刻蚀PZT—刻蚀锆钛酸铅刻蚀PbSe—刻蚀硒化铅刻蚀SiC—刻蚀碳化硅化合物半导体刻蚀A......
产品概述常温型铟镓砷探测器（常温型InGaAs探测器）● DInGaAs1650型内装国产InGaAs元件● DInGaAs1700-R03M型内装进口InGaAs元件● DInGaAs2600-R03M型内装进口大面积InGaAs元件光谱响应度曲线参考图常温型铟镓砷探测器型号列表及主要技术指标： 型号/参数D......
红外光电探测器在我们日常生活中随处可见，有着许多应用，主要应用为：气体分析仪、水质分析、红外测温、分光光度 计、傅里叶红外光谱仪、辐射度计、红外显微、功率计、热成像、污染源检测等根据红外探测器的波长、类型划分，我司可以提供以下系列产品InGaAs探测器In，Ga，As三种元素比例不同，InGaAs探测器能够检测的截止波长也有所不同，我司能够提供1.7µm，1......
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb刻蚀锑化镓刻蚀GaN刻蚀氮化镓刻蚀InSb刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAsP刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀InGaAlP刻蚀铝镓铟磷刻蚀InP刻蚀磷化铟刻蚀InAlAs刻蚀砷化铟铝刻蚀InP/InGaAsP刻蚀磷......
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb刻蚀锑化镓刻蚀GaN刻蚀氮化镓刻蚀InSb刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAsP刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀InGaAlP刻蚀铝镓铟磷刻蚀InP刻蚀磷化铟刻蚀InAlAs刻蚀砷化铟铝刻蚀InP/InGaAsP刻蚀磷......
产品概述：常温型铟镓砷探测器（常温型InGaAs探测器）● DInGaAs1650型：内装国产InGaAs元件● DInGaAs1700-R03M型：内装进口InGaAs元件● DInGaAs2600-R03M型：内装进口大面积InGaAs元件光谱响应度曲线参考图常温型铟镓砷探测器型号列表及主要技术指标： 型号/参数 ......