半导体材料，半导体制造，宽禁带半导体器件，光学与光电器件，微纳结构，薄膜相变及元素成分深度变化的表征等领域的研究、从业者

1. 多种第三代半导体材料（SiC、GaN、Ga₂O₃和金刚石等）的表征技术

2. 光电器件功能薄膜的光学常数、介电常数以及禁带宽度等参数的表征方法

3. 纳米层结构中元素成分随深度变化的表征和定量分析方法

4. 半导体制程监控的解决方案

5. 半导体生产中洁净间的AMC检测技术

1.HORIBA 半导体综合解决方案    熊洪武 工业大客户经理

2.共聚焦拉曼和PL在第三代半导体材料中的应用     徐宗伟 副教授

3.椭圆偏振光谱技术在光学及光电器件研究中的应用     孟彦龙 讲师

4.深度剖析技术在纳米多层膜定量表征中的应用      王江涌 教授

5.PP-TOFMS:用于半导体应用的深度剖析工具（英文）Agnès Tempez 应用专家

6.HORIBA 半导体制程监控方案    何政良 中国区销售总监

7.半导体洁净间的AMC检测   吕岩 市场经理

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HORIBA集团，作为全球检测及分析技术领先供应商，可为半导体产业提供多种研究、分析及检测控制技术。在材料表征技术方面，可为新材料开发及QC检测提供多种分析技术，重点包括：膜厚、晶型、应力、缺陷、杂质、元素含量以及器件结温表征等。在制程监控环节， HORIBA的精密监测及控制系统在半导体产业也有着几十年的成熟技术与解决方案，如：质量流量控制、化学药液浓度监测、终点检测及光掩模颗粒检测等技术，此外，还可提供水质及气体等环境成分检测方案。