半导体缺陷分析 纳克微束高分辨场发射扫描电镜 FE-1050系列

半导体器件生产过程中，缺陷的存在会不同程度影响产品质量，例如关键位置的金属类夹杂可能会引发器件的短路，清洗溶液不纯净引入的有机、无机析出物可能会导致光刻、离子注入、沉积等环节的失败，进而引发晶圆图形与设计不符等问题。因此，晶圆生产制造过程需要对缺陷进行实时监控，并对大量重复出现的缺陷进行分析溯源，以快速明确夹杂、缺陷的来源，从而控制调整相关工艺，稳定产品质量。

纳克微束FE-1050热场发射型扫描电镜，具有在1kV落点电压（减速电场）下1.5nm的极限分辨能力，可以对电子束敏感类材料直接成像，最小化对样品的电子辐照损伤。

FE-1050型电子显微镜具有宽大的主腔室和五轴样品台，最大可进入φ300mm*50mm尺寸的样品，整个系统提供多达27个探测器接口，最大程度为用户观察分析提供便利。

FE-1050型电子显微镜可根据用户使用场景，做高速采集升级改造，改造后的扫描速度可达到常规扫描电镜的50-100倍，更适用于大面积连续扫描成像和缺陷自动分析场景。

FE-1050场发射扫描电子显微镜，国内首款领势旗舰机型。

• 在新一代电子光学镜筒的加持下，展现低电压、高分辨的卓越性能。

• 27个端口拓展、大舱室，轻松应对各类成像、分析需求。

• 极简化操作、自动化交互、智能化特征识别统计，成倍提高工作效率。

• 终身售后保障，7*24售后响应。

以“质”为先，以“优”为本，助力微观世界的探索与发现。

技术参数与优势

   1）低电压下高分辨  

   2）多达 27 个附件端口数，是目前可扩展性最强的扫描电镜之一  

   3）大舱室，为适配第三方附件提供便利

   4）智能防碰撞

   5）一键自动送样

   6）自动电子合轴

   7）实时聚焦跟踪

纳克微束FE-1050热场发射型扫描电镜，具有在1kV落点电压（减速电场）下1.5nm的极限分辨能力，可以对电子束敏感类材料直接成像，最小化对样品的电子辐照损伤。

FE-1050系列电子显微镜具有宽大的主腔室和五轴样品台，整个系统提供多达27个探测器接口，最大程度为用户观察分析提供便利。

   贴近用户设计的系统交互操作，最大简化系统操作，即使没有

   电镜使用经验的用户也可轻松上手。软硬件结合的智能化操作

   流程能够真正将用户从繁琐的重复操作中解放出来。

应用范围广

    FE-1050系列扫描电镜广泛应用于材料和生命科学等领域，能够为您提供更高分辨率的图像和更丰富的组织细节；

拓展性强

    丰富的拓展附件，比如能谱仪EDS、背散射电子衍射EBSD、电子束感生电流EBIC等，可帮助用户对样品的成分、结构信息有着更全面的了解。

自动化功能丰富

    在FE系列专业分析平台上，可通过专用的自动夹杂物分析系统、清洁度和颗粒度自动检测以及矿物自动分析系统，对自身产品建立在线的质量过程控制。您还可以在可变环境下实时观察材料的相互作用；借助自动化工作流程实现高效应用。

设计先进，稳定性更优

    FE系列最新电子光学镜筒几何学设计能确保在分析工作条件下达到最佳分辨率。纳克微束电镜在制造加工方面要求非常严格，精湛的制造工艺及加工装配检验工艺，其抗磁、防震、抗噪及密封性能极佳，整体性、稳定性更好。

半导体缺陷分析 纳克微束高分辨场发射扫描电镜 FE-1050系列信息由纳克微束（北京）有限公司为您提供，如您想了解更多关于半导体缺陷分析 纳克微束高分辨场发射扫描电镜 FE-1050系列报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。