- KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积钛金属薄膜
钛金属具有许多优异的性能, 例如低密度/ 高熔点/ 耐腐蚀/ 无磁性和硅基衬底结合力好/ 具有形状记忆和吸氢特性等, 因此对于磁控溅射沉积钛薄膜的研究有很多. 上海某大学研究室在多层钛膜做微观结构的研究中采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积钛薄膜做加热电路提高器件温度,从而提高光波导器件中硅材料的折射率. 伯东&nb
- KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 成功用于多靶磁控溅射镀膜机
某 OEM 厂商为了提高镀膜机镀膜的品质, 其为客户搭建的多靶磁控溅射镀膜机的溅射源采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000, 真空腔体搭配的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 2300. KRI 射频离子源
- KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积 MoN 薄膜
MoN薄膜是一种具有潜在应用价值的薄膜材料, 但对于其结构和性能的研究还较少. 因此,广州某研究机构采用KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 在 304 不锈钢基体表面溅射沉积 MoN薄膜, 系统研究了 MoN 薄膜在不同摩擦条件下的摩擦磨损行为. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220
- KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 镀制气体传感器 WO3 薄膜
某传感器制造商为了制备出具有高结晶度、大比表面积、排列规则的纳米结构 WO3 薄膜, 经过对比选择, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积设备镀制 WO3 薄膜. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge&nb
- KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积 BCx 薄膜
兰州某研究所在研究 BCx 薄膜的结构特征、力学性能和摩擦磨损性能试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射碳化硼靶和石墨靶(纯度均为99.9%),在 CrMoAl 齿轮钢和 Si(100)表面沉积 BCx 薄膜 伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140&
- KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积制备碳薄膜
北京某研究院采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积制备碳薄膜, 同时在室温和无催化层衬底的条件下, 探究离子束能量和沉积时间对碳纳米薄膜成膜的影响. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200
- KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积 NSN70 隔热膜
西南某研究所在研究 NSN 隔热膜试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源溅射沉积 NSN70 隔热膜, 并通过选择合适的 AgCu 合金靶材, NSN70隔热膜的膜系设计与制备、样品的形貌检测、耐候性试验、光学性能测试等多方面进行 NSN70 隔热膜的研究. 伯东 K
- KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积红外器件介质膜
某红外半导体镀膜工业厂商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积红外器件介质膜, 以提高镀膜厚度的均匀性. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦,
- KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 成功用于复合磁控溅射沉积装置
某 OEM 系统集成商在搭建系统-复合磁控溅射沉积装置, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 作为溅射源. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦,&n
- KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 用于溅射沉积硅片金属薄膜
某微电子制造商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积硅片金属薄膜. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通
- KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 用于铝表面溅射沉积 ZrN 薄膜
河北某大学研究室为了研究磁控溅射时间和氮气流量对 ZrN 薄膜色度的影响, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助在铝表面溅射沉积ZrN 薄膜 KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能10
- KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积 Cu-W 膜
为了得到最佳性能的磁控溅射 Cu-W 薄膜, 某大学新材料研究所采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射技术在基片上沉积 Cu-W 膜. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离
- KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射制备类金刚石 Ta-C 涂层
上海某大学研究室在离子溅射制备类金刚石 Ta-C 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 作为溅射源 KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦,&n
- KRI 考夫曼聚焦射频离子源 RFICP380 辅助制备原子探针样品
上海某大学研究中心采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 FRICP380 辅助制备三维原子探针样品, 主要是对三维原子探针样品进行蚀刻, 使样品变薄 伯东 KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-
- KRI RFICP325 离子源已成功应用在塑料光学镜头应用
国内知名光学镜头制造商使用 KRI 射频离子源 RFICP325 成功镀膜于塑料基板并且通过 1,500 小时高温高湿严苛环境测试 (80C/80%湿度、85C/95%湿度). 多数的光学镜头制造公司极力转型于塑料基材的光学镜头组件以争取智能型手机镜头, 车用镜头, VR 虚拟现实镜头等等...广大的市场.但都面对了在镀膜时制程问题, 例如:脱膜、
- Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 用于蚀刻 KDP 晶体
某厂商研发部门采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 用于蚀刻 KDP 晶体进行抛光加工, 用以消除单点金刚石车削(SPDT)后 KDP 晶体表面留下的周期性小尺度波纹. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:Ф4 inch X 6片基板尺寸< Ф3 inch X 8片< Ф4 inch X 6片< Ф8 inch X 1片样品
- Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100用于蚀刻覆铜板
Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100用于蚀刻覆铜板某印制板线路板生产工厂采用伯东 Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100 将覆铜板上不需要的铜蚀刻掉, 将需要保留的铜保留下来. Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100 技术参数:ModelMEL3100Wafer size3"~6"Wafer per batch1 waferCass
- Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 应用于碲镉汞晶体电学特性研究
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 应用于碲镉汞晶体电学特性研究某研究机构采用Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碲镉汞晶体进行蚀刻, 并研究碲镉汞晶体蚀刻后的电学特性. Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:基板尺寸< Ф8 X 1wfr样品台直接冷却(水冷)0-90 度旋转离子源16cm 考夫曼离子源均匀性±5% for 4”Ф硅片
- Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 应用于集成电路制造中刻蚀
某高端半导体制造公司, 采用Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100运用在集成电路制造的刻蚀工艺. Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 技术参数:ModelMEL3100Wafer size3"~6"Wafer per batch1 waferCassette No.25 wafersCassette Q'ty1pc.Throughput
- Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于硬盘 GMR 磁头
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于硬盘 GMR 磁头硬盘磁头, 是硬盘读取数据的关键部件, 磁头的好坏在很大程度上决定着硬盘盘片的存储密度. GMR 磁头的使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构, 这比以前的传统磁头和MR(Magneto Resisive)磁阻磁头更为敏感, 相对的磁场变化能引起来大的电阻值变化, 从而实现更高的存储密度. 某硬盘磁头制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J&nb