KRi 考夫曼离子源 KDC 10

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上海伯东美国 KRi 离子源 KDC 10 是 KRi 栅极型离子源  Gridded 系列最小的型号. 非常适合安装在较小的真空系统中进行预清洗, 离子束溅射和离子蚀刻工艺. 在 <1000eV 低能量下, 通 Ar 氩气时离子蚀刻的能力显著提高. KDC 10 离子源低损伤, 宽束设计, 低成本高效能等优点广泛应用在显微镜样品制备领域, 标准配置下 KDC 10 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 10mA.


 
KRi 考夫曼离子源 KDC 10 技术参数

KRi 考夫曼离子源 KDC 10 应用领域
离子清洗, 显微镜抛光 IBP
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜) IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 10 硅片刻蚀应用
上海伯东协助某客户自主搭建离子束刻蚀机, 进行 1寸或2寸晶圆 (硅片) 刻蚀, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 10 进行晶圆的超精密加工, 后期用于研究高质量精密 x射线反射镜.

离子束刻蚀机真空腔体主要部件如下图所示, 主要是离子源, 运动台和晶圆支架. 因刻蚀晶圆直径比较小,推荐使用低成本高效能的美国 KRi 小型号考夫曼离子源 KDC 10, 离子源底座安装设计为可移动, 进行刻蚀工艺时, 工艺气体氩气, 通过离子源发出一个圆形的自对准聚焦离子束, 离子束移动, 而晶圆保持固定. 这种设计节省了腔室和整个系统的空间.

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国KRi考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

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