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上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼离子源 KDC 10, 宽束离子源,最小型号的离子源, 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射. 适用于已知的所有离子源应用.
离子束流: >10 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: 灯丝, 流量 (Typical flow): 1-5 sccm.
加热灯丝产生电子, 增强设计输出高质量, 稳定的电子流.
离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.
无需水冷, 降低安装要求并排除腔体漏水的几率, 双阴极设计.
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 技术参数:
离子源型号 | |
Discharge | DC 热离子 |
离子束流 | >10 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 1 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 1-5 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 11.5 cm |
直径 | 4 cm |
中和器 | 灯丝 |
伯东KRI 考夫曼离子源 KDC 10 应用领域:
1. 离子清洗, 显微镜抛光 IBP
2. 溅镀和蒸发镀膜 PC
3. 辅助镀膜(光学镀膜) IBAD
4. 表面改性, 激活 SM
5. 离子溅射沉积和多层结构 IBSD
6. 离子蚀刻 IBE
伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
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美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 10,KRI 考夫曼离子源 KDC 10
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兰州某研究所在研究 BCx 薄膜的结构特征、力学性能和摩擦磨损性能试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射碳化硼靶和石墨靶(纯度均为99.9%),在 CrMoAl 齿轮钢和 Si(100)表面沉积 BCx 薄膜 伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140&
北京某研究院采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积制备碳薄膜, 同时在室温和无催化层衬底的条件下, 探究离子束能量和沉积时间对碳纳米薄膜成膜的影响. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200
西南某研究所在研究 NSN 隔热膜试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源溅射沉积 NSN70 隔热膜, 并通过选择合适的 AgCu 合金靶材, NSN70隔热膜的膜系设计与制备、样品的形貌检测、耐候性试验、光学性能测试等多方面进行 NSN70 隔热膜的研究. 伯东 K
某红外半导体镀膜工业厂商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积红外器件介质膜, 以提高镀膜厚度的均匀性. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦,
某 OEM 系统集成商在搭建系统-复合磁控溅射沉积装置, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 作为溅射源. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦,&n
某微电子制造商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积硅片金属薄膜. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通
河北某大学研究室为了研究磁控溅射时间和氮气流量对 ZrN 薄膜色度的影响, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助在铝表面溅射沉积ZrN 薄膜 KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能10
为了得到最佳性能的磁控溅射 Cu-W 薄膜, 某大学新材料研究所采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射技术在基片上沉积 Cu-W 膜. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离
上海某大学研究室在离子溅射制备类金刚石 Ta-C 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 作为溅射源 KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦,&n
上海某大学研究中心采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 FRICP380 辅助制备三维原子探针样品, 主要是对三维原子探针样品进行蚀刻, 使样品变薄 伯东 KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-
国内知名光学镜头制造商使用 KRI 射频离子源 RFICP325 成功镀膜于塑料基板并且通过 1,500 小时高温高湿严苛环境测试 (80C/80%湿度、85C/95%湿度). 多数的光学镜头制造公司极力转型于塑料基材的光学镜头组件以争取智能型手机镜头, 车用镜头, VR 虚拟现实镜头等等...广大的市场.但都面对了在镀膜时制程问题, 例如:脱膜、
某厂商研发部门采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 用于蚀刻 KDP 晶体进行抛光加工, 用以消除单点金刚石车削(SPDT)后 KDP 晶体表面留下的周期性小尺度波纹. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:Ф4 inch X 6片基板尺寸< Ф3 inch X 8片< Ф4 inch X 6片< Ф8 inch X 1片样品
Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100用于蚀刻覆铜板某印制板线路板生产工厂采用伯东 Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100 将覆铜板上不需要的铜蚀刻掉, 将需要保留的铜保留下来. Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL3100 技术参数:ModelMEL3100Wafer size3"~6"Wafer per batch1 waferCass
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 应用于碲镉汞晶体电学特性研究某研究机构采用Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碲镉汞晶体进行蚀刻, 并研究碲镉汞晶体蚀刻后的电学特性. Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:基板尺寸< Ф8 X 1wfr样品台直接冷却(水冷)0-90 度旋转离子源16cm 考夫曼离子源均匀性±5% for 4”Ф硅片
某高端半导体制造公司, 采用Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100运用在集成电路制造的刻蚀工艺. Hakuto 全自动离子刻蚀机 MEL 3100 技术参数:ModelMEL3100Wafer size3"~6"Wafer per batch1 waferCassette No.25 wafersCassette Q'ty1pc.Throughput
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于硬盘 GMR 磁头硬盘磁头, 是硬盘读取数据的关键部件, 磁头的好坏在很大程度上决定着硬盘盘片的存储密度. GMR 磁头的使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构, 这比以前的传统磁头和MR(Magneto Resisive)磁阻磁头更为敏感, 相对的磁场变化能引起来大的电阻值变化, 从而实现更高的存储密度. 某硬盘磁头制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J&nb
Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE , 提供微米级刻蚀 , 满足所有材料的刻蚀 , 即使对磁性材料 , 金铜镍银铂等金属及复合半导体材料 , 这些难刻蚀的材料也能进行微米级刻蚀 .伯东离子刻蚀机 IBE 组成主要包含真空刻蚀腔体 , 样品台 , 离子源等&
机器人五金连接件的铬膜厚度达不到, 表面不致密, 薄膜吸附仪不够, 将影响机器人连接件力学性能, 还有表面耐磨性能, 因此某国内机器人五金连接件制造商为了获得更优质的连接件铬膜, 采用伯东 KRI 聚焦型考夫曼离子源 KDC 100 辅助镀制五金连接件铬膜. 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 100 技术参数: 离子源型号 离子源 KDC 100 DischargeDC
传统直接蒸发 HfO2块材料, 容易产生节瘤缺陷, 吸收很大, 限制了薄膜的激光损伤阈值, 因此, 为了获取高质量的 HfO2 薄膜, 某机构采用 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 辅助镀制 HfO2 薄膜. 客户的样品基底材料为 K9 玻璃, 靶材为 HfO2块材料, 运行的离子源偏压为 90V. 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数:&n
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