美国 KRI 考夫曼公司新升级 Gridded KDC 系列离子源, 新的特性包含自对准离子光学和开关式电源控制. 考夫曼离子源 KDC 系列包含多种不同尺寸的离子源满足各类应用. 考夫曼离子源 KDC 提供一套完整的方案包含考夫曼离子源, 电子中和器, 电源供应器等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如实验室小型研发, 镀膜机, load lock, 磁控溅射系统, 卷绕镀膜机和线性镀膜.

美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 特性：
通过加热灯丝产生电子
低电流高能量宽束型离子源

美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 应用：
辅助镀膜(光学镀膜) IBAD
溅镀&蒸镀 PC
表面改性, 激活 SM
沉积 DD
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 技术参数：

型号	KDC 10	KDC 40	KDC 75	KDC 100	KDC 160
Discharge 阳极	DC 电流	DC 电流	DC 电流	DC 电流	DC 电流
离子束流	>10 mA	>100 mA	>250 mA	>400 mA	>650 mA
离子动能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
栅极直径	1 cm Φ	4 cm Φ	7.5 cm Φ	12 cm Φ	16 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	1-5 sccm	2-10 sccm	2-15 sccm	2-20 sccm	2-30 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
长度	11.5 cm	17.1 cm	20.1 cm	23.5 cm	25.2 cm
直径	4 cm	9 cm	14 cm	19.4 cm	23.2 cm
中和器	灯丝

美国 KRI 考夫曼离子源结构图

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.

上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

若您需要进一步的了解详细信息

请联络上海伯东: 叶女士 M:******微信同号)

KRi 考夫曼离子源 KDC信息由伯东企业（上海）有限公司为您提供，如您想了解更多关于KRi 考夫曼离子源 KDC报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。

产地类别：进口	供应商性质：总代理	价格范围：50万-80万
仪器种类：考夫曼离子源

客服中心

KRi 考夫曼离子源 KDC