pecvd刻蚀
牛津仪器原子层刻蚀PlasmaPro 100 ALE用于测定Semiconductor，符合行业标准Oxford Instruments。适用Semiconductor项目。 Plasma Solutions for Discrete Semiconductor Device Manufacture 我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可达90%以上......
牛津仪器半导体检测仪PlasmaPro 100 ALE用于测定Power Semiconductors，符合行业标准Oxford Instruments。适用Power Semiconductors项目。 半导体制造解决方案 我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可达90%以上，一旦设备安装完毕，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广......
原子层刻蚀牛津仪器半导体检测仪 Plasma Solutions for Discrete Semiconductor Device Manufacture
参考成交价格： 暂无
型号：PlasmaPro 100 ALE
牛津仪器原子层刻蚀PlasmaPro 100 ALE用于测定Semiconductor，符合行业标准Oxford Instruments。适用Semiconductor项目。 Plasma Solutions for Discrete Semiconductor Device Manufacture 我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可达90%以上......
PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀牛津仪器 Plasma Solutions for Optoelectronic Semiconductor Device Manufacture
参考成交价格： 暂无
型号：PlasmaPro 100 ALE
牛津仪器半导体检测仪PlasmaPro 100 ALE用于测定Optoelectronic Semiconductor，符合行业标准Oxford Instruments。适用Optoelectronic Semiconductor项目。 Plasma Solutions for Optoelectronic Semiconductor Device Manu......
牛津仪器原子层刻蚀PlasmaPro 100 ALE用于测定Optoelectronic Semiconductor，符合行业标准Oxford Instruments。适用Optoelectronic Semiconductor项目。 Plasma Solutions for Optoelectronic Semiconductor Device Manuf......
牛津仪器半导体检测仪PlasmaPro 100 ALE用于测定Nano Material，符合行业标准Oxford Instruments。适用Nano Material项目。 纳米材料生长和表征 准确的刻蚀深度控制；光滑的刻蚀表面低损伤工艺数字化/循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD高选择比能加工最大200mm的晶圆高深宽比（HAR）刻蚀工艺非常适于刻蚀纳米......
牛津仪器原子层刻蚀PlasmaPro 100 ALE用于测定Power Semiconductors，符合行业标准Oxford Instruments。适用Power Semiconductors项目。 半导体制造解决方案 我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可达90%以上，一旦设备安装完毕，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广，......
牛津仪器原子层刻蚀PlasmaPro 100 ALE参考多项行业标准Oxford Instruments。完成Power Semiconductors的检测。可以用在纳米材料行业领域中的Power Semiconductors项目。 失效分析 准确的刻蚀深度控制；光滑的刻蚀表面低损伤工艺数字化/循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD高选择比能加工最大200mm的......
牛津仪器原子层刻蚀PlasmaPro 100 ALE用于测定Power Semiconductors，符合行业标准Oxford Instruments。适用Power Semiconductors项目。 失效分析 准确的刻蚀深度控制；光滑的刻蚀表面低损伤工艺数字化/循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD高选择比能加工最大200mm的晶圆高深宽比（HAR）刻蚀工艺......
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