报计划清单 | 2024 等离子刻蚀及沉积工艺设备选型指南

2023-11-21 18:36:06, 牛津仪器牛津仪器科技（上海）有限公司

牛津仪器等离子体技术部门提供专业的刻蚀和沉积工艺解决方案。ICP刻蚀源能在低气压下产生高密度的反应组分。衬底的直流偏压由一个射频发生器独立控制, 允许根据工艺要求控制离子的能量。RIE模式可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺。

等离子刻蚀技术

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PlasmaPro 80 RIE

PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理想选择。它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。

• 直开式设计允许快速装卸晶圆

• 出色的刻蚀控制和速率测定

• 出色的晶圆温度均匀性

• 晶圆最大可达200mm

• 购置成本低

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PlasmaPro 800 RIE

PlasmaPro 800系列是结构紧凑、且使用方便的直开式系统，该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻（RIE）工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶圆平台能够处理量产级别的批量以及300mm晶圆的工艺。

• 高性能工艺

• 准确的衬底温度控制

• 准确的工艺控制

• 成熟的300mm单晶圆失效分析工艺

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PlasmaPro 80 ICP

PlasmaPro 80 ICP是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统，可提供多种刻蚀解决方案。它易于放置，便于使用，且能够确保工艺质量。直开式设计允许快速的进行晶圆装卸，是科学研究、原型设计和少量生产的理想选择。该设备通过优化了的电极冷却技术和出色的衬底温度控制来实现高度稳定的工艺结果。

• 直开式设计允许快速装卸晶圆

• 出色的刻蚀深度和刻蚀速率控制

• 出色的晶圆温度均匀性

• 晶圆最大可达200mm

• 购置成本低

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PlasmaPro 100 Cobra

PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极，能够在很宽的温度范围内进行工艺，具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力，该工艺模块可提供具有高度均匀，高产量和高精度的工艺。

• 电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C

• 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆

• 快速更换到不同尺寸的晶圆工艺

• 购置成本低且易于维护

• 紧密的设计，布局灵活

• 实时清洗和终点监测

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PlasmaPro 100 Estrelas

PlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）、先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展，PlasmaPro 100 Estrelas 提供了更加出色的工艺灵活性。

• 光滑侧壁工艺

• 高刻蚀速率腔刻蚀

• 高深宽比工艺

• 锥形通孔刻蚀

• 广泛的应用领域

• 机械或静电压盘

• 加热内衬

• 改善重复性

• 延长了两次清洗间的平均时间间隔(MTBC)

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Ionfab 300 IBE

离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。

• 多模式功能

• 能够与其它等离子体刻蚀和沉积设备相集成

• 单晶圆传送模式或集群式晶圆操作

• 双束流配置

• 更低的表面薄膜粗糙度

• 更佳的批次均匀性和工艺重复性

• 准确终点监测 —— SIMS，发射光谱

等离子沉积技术

设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。

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PlasmaPro 80 PECVD

PlasmaPro 80是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究、原型设计和小批量生产的理想选择。它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高性能工艺。

• 直开式设计允许快速装卸晶圆

• 出色的刻蚀控制和速率测定

• 出色的晶圆温度均匀性

• 晶圆最大可达200mm

• 购置成本低

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PlasmaPro 800 PECVD

PlasmaPro 800为大批量晶圆和300mm晶圆的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺提供了灵活的解决方案。它占地面积小，具有开放式加载系统。大型晶圆板允许批量化生产规模和300mm晶圆处理。

• 高性能工艺

• 准确的衬底温度控制

• 准确的工艺控制

• 成熟的300mm单晶圆失效分析工艺

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PlasmaPro 100 PECVD

设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。

• 高质量的薄膜，高产量和出色的均匀性

• 电极的适用温度范围宽

• 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆

• 可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆

• 成本低且易于维护

• 电阻丝加热电极，最高温度可达400°C， 800°C或1200°C

• 实时监测清洗工艺，并且可自动停止工艺

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PlasmaPro 100 ICPCVD

该ICPCVD工艺模块的设计目的是在低生长温度下生产高质量的薄膜，通过高密度远程等离子体实现卓越的薄膜质量和低衬底损伤。

• 更好的均匀性、高产量以及高精度的工艺

• 高质量薄膜

• 电极的适用温度范围宽

• 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆

• 快速更换不同尺寸晶圆

• 购置成本低且易于维护

• 紧密的设计，布局灵活

• 电阻丝加热电极，最高温度可达400°C

• 实时监测清洗工艺，并且可自动停止工艺

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FlexAL

FlexAL系统可提供远程等离子体原子层沉积（ALD），这为纳米结构和器件的工程设计提供了一系列新的灵活性和可行性。

• 在同一设备中可灵活使用远程等离子体与热ALD

• 集群式配置保证始终于真空下传送衬底

• 盒式对盒式操作可提高产能以适于量产

• 对材料和气体/液体源的选择具有更大的灵活性

• 等离子体ALD可进行低温工艺

• 使用远程等离子体以确保低损伤

• 通过配方驱动的软件界面实现可控的和可重复的工艺

• 可处理高达200mm的晶圆

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PlasmaPro 100 Nano

用于生长1D / 2D纳米材料和异质结构的CVD / PECVD工具。PlasmaPro 100 Nano通过在线催化剂活化和严格的工艺控制，实现纳米材料的高性能生长。

• 更佳的均匀性以及灵活的温度范围, 最高可达1200°C

• 700°C、800°C或1200°C工作台可供选择

• 样品尺寸可达200mm

• 真空传送腔——快速更换样品

• 冷壁设计并辅以可均匀输送气体/液体源前驱体的喷头

• 可选的液体/固体源前驱体输送系统，用于生长MoS₂、MoSe₂和其它TMDCs材料

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Ionfab 300 IBD

客户选择我们的离子束沉积产品是因为它们能够生产具有高质量，致密和表面光滑的沉积薄膜。离子束技术提供了一种多样的刻蚀和沉积的方法，并可在同一设备上实现，因而提高系统的利用率。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统规格与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。