2022-09-27 17:33:08, 天美 天美仪拓实验室设备(上海)有限公司
InP/ZnS QD 甲苯溶液,在 500 nm 处具有 0.15 的吸光度。使用配备 SC-05 液体支架、EPL-405 脉冲激光器、时间相关单光子计数 (TCSPC) 电子器件和 PMT-980 检测器的 FS5 分光荧光计表征吸收和光致发光特性。
图 2:配备皮秒脉冲激光器的 FS5 荧光光谱仪
使用 FS5 测量吸收和光致发光光谱,如图 3 所示。FS5 包含一个标准的吸收检测器,可以使用单个仪器快速测量光致发光和吸收光谱。光谱显示,InP/ZnS 量子点在 620 nm 处具有明显的带边光致发光峰,半峰宽为 65 nm。除了主要的带边峰外,还有一个延伸到 NIR 中的宽低能量尾峰。为了检测这条尾峰,FS5 配备了一个扩展范围的光电倍增管检测器 (PMT-980),它在 ~950 nm 范围内具有良好的灵敏度。PMT-980 比标准 PMT-900 提供额外 80 nm 的检测范围,是具有长发射尾端材料的理想选择。1
图 3:InP/ZnS QD 溶液的吸收(黑色)和光致发光(红色)光谱。吸收光谱测试参数:Δλ ex = 2 nm。发射光谱测试参数:λ ex = 400 nm,Δλ ex = 8 nm,Δλ em = 3 nm 。
图 4:使用 TCSPC 测量的 InP/ZnS QD 溶液的时间分辨发射光谱 (TRES)。每个波长的光致发光强度均归一化。实验参数:λ ex = 405 nm,Δλ em = 15 nm。
图 5:在 (a) 620 nm 和 (b) 775 nm 处测量的光致发光衰减。使用 TCSPC 测量衰减并拟合四个指数分量并计算强度加权平均寿命。实验参数:λ ex = 405 nm,λ em = 620 nm / 775 nm,Δλ em= 10 nm。
图6:QD中带边发射和陷阱发射起源的示意图
使用 FS5 荧光分光光度计对 InP/ZnS 量子点的光物理进行了稳态和时间分辨研究,揭示了缺陷发射的存在:可能是由于 ZnS 脱壳不完全。本文重点介绍了 FS5 荧光分光光度计在单个紧凑型仪器中表征新型量子点发射器的吸光度、发射和寿命的能力,并有助于建立结构-性能关系。
1. R. Toufanian, A. Piryatinski, A. H. Mahler, R. Iyer, J. A. Hollingsworth & Allison M. Dennis, Bandgap Engineering of Indium Phosphide-Based Core/Shell Heterostructures Through Shell Composition and Thickness, Front. Chem 6 567 (2018)
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