2021-12-21 13:39:44, 光电行业都会关注 北京卓立汉光仪器有限公司

引言

图1 (a)PtS2的原子构型 (b)大面积少层PtS2光学图像 (c)少层PtS2光学显微镜图 (d)少层PtS2上不同位置的AFM高度分布

图2 (a)剥离的的PtS2高分辨透射电子显微镜图像 (b)晶格条纹图 (c)对应红色方框的快速傅里叶变换衍射图。

图3 (a)单层PtS2的能带和态密度 (b)双层PtS2的能带结构 (c)PtS2块体材料的能带结构 (d) 不同层数的PtS2的带隙值变化图 (e)不同层数PtS2的导带和价带变化

图4 (a)大面积少层PtS2的制备示意图
(b)样品三个不同位置获得的拉曼光谱 (c) PtS2的光致发光光谱

图5 (a)少层PtS2的X-射线光电子能谱(XPS) (b) Pt的XPS能谱 (c) S的XPS能谱

图6 (a)少层PtS2扫描电镜图像 (b)少层PtS2元素含量 (c) Pt元素mapping图
(d) S元素mapping图

图7 少层PtS2的偏振拉曼测量 (a)角度分辨偏振拉曼光谱原理图 (b)分别在温度300K(蓝线)、200K(黑线)、100K(红线)、12K(绿线)不同偏振角度下拉曼振动模式的强度变化(点是实验数据,实线是对数据的拟合)(c - f)温度为300 K (c)、200 K (d)、100 K (e)和12K (f)偏振拉曼振动模式强度极性图

图8 大面积少层PtS2的场效应晶体管(Field effect transistor, FET)特性 (a) FET示意图 (b) FET的Is - Vds特性 (c)不同漏源极电压FET器件Id-Vbg转移曲线 (d) FET的Is - Vds输出曲线

图9 大面积少层PtS2的光电流特性 (a)光电器件横截面图 (b) PtS2光电器件在不同光功率下的电流- Vg曲线 (c) PtS2 光电器件在不同光功率下的电流- Vds曲线

图10 大面积少层PtS2的C-V性能 (a)不同探测频率下PtS2的C-V特性 (b)在-1V、0V、1V不同偏压下,电容随频率的变化图

图11 PtS2在SiO2/Si衬底上的KPFM图像 (a) PtS2样品的AFM高度图 (b)基于开尔文探针力显微镜(Kelvin probe force microscope, KPFM )测量PtS2的功函数图像 (c)PtS2的功函数展示 (d)基于开尔文探针力显微镜(Kelvin probe force microscope, KPFM )测量PtS2的表面电势图像 (e) PtS2的表面电势展示

图12 (a) PtS2表面的静电势分布 (b)单层PtS2的静电势和功函数 (c)不同层间PtS2的功函数变化

图13 PtS2的拉曼光谱强度在氧等离子体处理前后的变化 (a) O2等离子体处理PtS2的示意图(b)O2等离子体处理不同时间的拉曼光谱变化 (c)O2等离子体处理时间为分钟数量级的拉曼光谱变化
总结
相关研究成果以“Large-area uniform few-layer PtS2: Synthesis, Structure and Physical Properties, ”发表在国际著名材料学术刊物Materials Today Physics上,文章第一作者为云南大学材料与能源学院研究生陆江伟,通讯作者为杨鹏、万艳芬、王枭,该研究得到了国家自然科学基金、云南省应用基础研究计划项目、云南大学高层次引进人才经费的支持。论文查看二维码:

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