AI 算力与光通讯扩产捷径！气柜改造助力磷化铟 InP 工艺低成本扩产

AI 算力 800G / 1.6T 光模块、CPO 大规模量产，磷化铟 InP 光子集成芯片全面紧缺，波导、光栅、透镜是高速激光器、芯片核心结构，整套制程均依赖等离子刻蚀、薄膜沉积。但目前全球光芯片衬底、晶圆产线存在缺口，新建产线交付周期拉长，而选择基于现有等离子刻蚀、PECVD 镀膜设备，升级改造气柜即可助力新增 InP 制程，大幅加快产能提升、降低扩产投入。

原有刻蚀 / 沉积设备出厂标配气路以常用氟系硅基工艺气体为主，缺少磷化铟 InP 工艺专用 Cl₂、BCl₃、氯基气体通道，无法开展磷化铟干法刻蚀、光学薄膜沉积。牛津仪器等离子技术提供系列改造升级路径，低成本改造现有设备、快速落地 InP 磷化铟透镜量产工艺、缩短新品良率爬坡周期。

升级气体管路引入了更大的灵活性，增加了每个工艺腔室的可用工艺范围。扩展工艺和配方基础，可适配 InP 工艺需新增的多路专用气源，升级后气柜最多拓展至 12 路独立气路，全覆盖三类工艺差异化气源：

• 透镜刻蚀专用腐蚀气：BCl₃、Cl₂

  缓冲气：Ar

• 波导两类刻蚀气源：

  ①Cl₂+Ar 

  ②Cl₂+CH₄+H₂

• 光栅刻蚀核心气源：CH₄+H₂

磷化铟 InP 透镜曲面刻蚀、超薄光学膜沉积属于微量精密工艺，配套升级高精度气体流量计，毫秒级稳压调压，降低流量误差，保证整片晶圆刻蚀深度、薄膜厚度均匀一致，透镜光学性能统一。

牛津仪器等离子体技术结合自有等离子刻蚀、薄膜沉积设备工艺沉淀，可支持适配刻蚀材料：Si、Poly-Si、a-Si、SiO₂、SiNx、GaAs、AlGaAs、InP、Au、Pt、Ni、Ti、W、Mo、Ta、Cr、Al 等; 适配沉积材料：SiO₂、SiNx、a-Si、SiC、SiON 等可助力已有设备用户定制进行气柜硬件改造与专属气体工艺配方协同交付一步到位，安装快速简便，专业的安装人员，进行升级前后系统的安全评估，确保设备使用安全。

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