解决方案|ICP法测定硅蚀刻液中Si元素

前言

硅蚀刻工艺在半导体和光伏制造中扮演着决定性角色，而蚀刻液中硅（Si）元素浓度的精准监控，直接关系到蚀刻速率的稳定性和最终产品的良率。随着蚀刻反应的不断推进，槽液中的硅含量会逐渐升高。过高的硅浓度不仅会削弱液体的化学活性导致蚀刻不均，还极易引发硅酸盐析出沉积，造成不可逆的工艺缺陷。

因此，工业产线上迫切需要一种快速且抗干扰能力强的检测手段来维持槽液的生命周期管理。针对这一行业痛点，东西分析推出了基于电感耦合等离子体发射光谱（ICP-OES）法的专属解决方案。该方案能够有效克服复杂化学基体带来的测试干扰，为蚀刻液的实时成分评估提供坚实的数据支撑，是企业优化工艺流程、降低生产成本的关键一环。

仪器优势

面对蚀刻液常有的强腐蚀性和高基体浓度，东西分析 ICP-7700 电感耦合等离子体发射光谱仪 展现出了极为优异的分析性能。

• 抗基体干扰： 仪器搭载了高效稳定的射频发生器与高分辨率的恒温光学系统，在面对复杂的高盐或强酸碱进样时，依然能够保持等离子体的高效能量传递与极佳的形态稳定，从物理层面上最大程度削弱了基体效应。

• 简化前处理： 在实际检测流程中，实验人员仅需对高浓度的硅蚀刻液进行适当比例的稀释，即可通过仪器配备的耐腐蚀进样系统直接上机分析。

• 提升流转效率： ICP-7700 宽广的动态线性范围使其在测定 Si 元素时游刃有余，既替代了传统化学滴定法繁琐的前处理步骤，又避免了比色法中容易出现的人为误差，大幅提升了实验室的检测效率。

ICP-7700 电感耦合等离子体发射光谱仪

仪器设备

ICP-7700 电感耦合等离子体发射光谱仪

仪器工作参数

1. 标准曲线绘制

按下表配制Si元素的系列标准溶液，待仪器工作稳定后，依次进样，根据浓度和吸光度，绘制标准曲线。 

2. 样品分析结果

Si 标准曲线

3.分析结果

                       单位：mg/L

东西分析官方矩阵平台

北京东西分析仪器有限公司，拥有三十多年的分析仪器研发、制造、服务的历史，系国家高新技术企业、北京市高新技术企业、北京市“专精特新”小巨人企业、北京市“专精特新”中小企业和分析仪器制造行业国际化企业。

获取更多资讯与服务，欢迎关注东西分析官方矩阵平台！