离子束刻蚀机 20 IBE-C

2026-03-16 18:05:00, 上海伯东Hakuto 伯东企业（上海）有限公司

上海伯东日本原装进口 NS 离子束刻蚀机 20 IBE-C, 适用于中等规模的实验室研究, 满足 3寸, 4寸, 6寸, 8寸多片的材料刻蚀. 采用自研的公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%.

离子束刻蚀机 20 IBE-C 可选配美国 KRi 离子源或终点检测(监测当前气体成分, 监控刻蚀制程).

离子束刻蚀机 20 IBE-C 基本参数

型号	20 IBE-C
应用	中等规模的实验室研发
内置	考夫曼型离子源(或根据需求选择射频离子源)
基板尺寸	φ3 inch X 8片 φ4 inch X 6片 φ8 inch X 1片 (可根据器件大小定制载台)
均匀性	≤±5%
刻蚀速率	硅片 20 nm/min
工艺气体	Ar, O₂, N₂
样品台	直接冷却（水冷）0-90 度旋转

离子束刻蚀机 20 IBE-C 特性:
1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度
2. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
3. 基板直接加装在直接冷却装置上,可以在低温环境下蚀刻.
4. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%

5. 几乎满足所有材料的刻蚀, IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料
6. 可选配德国 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 客制化设计, 超高自由度: 刻蚀机设计使用半自动化的操作流程, 非常友好的使用生产过程

8. 可选配美国 KRi 离子源

上海伯东离子束刻蚀机 20 IBE-C 优势:

几乎可以用来刻蚀任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体等. 栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制, 提升了工艺可控性; 载片台的角度可调整, 实现离子束倾斜入射, 可用于特殊图案的刻蚀, 也适用于侧壁清洗等工艺.

一、刻蚀精度高, 各向异性好

二、刻蚀均匀性好, 重复性高

三、材料适应性广

四、刻蚀深度可控性强

上海伯东离子束刻蚀机20 IBE-C 典型应用: 可根据客户的要求进行定制. 离子束刻蚀作为干法蚀刻工艺中的微细加工被广泛应用. 由于是不伴随化学反应的物理蚀刻工艺, 因此不仅适用于Au, Pt, 磁性材料等难蚀刻材料的加工, 也适用于由多个金属膜形成的多层膜蚀刻工艺.

1. MEMS 传感器芯片刻蚀: PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等…
2. 光栅刻蚀: 薄膜铌酸锂（LN）光栅耦合器制备, 闪耀罗兰光栅制作, AR 眼镜斜光栅制备, GaN光栅制造
3. 磁性器件: Ni-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等…
4. 自旋电子学: 选配终点检测器, 可实现超薄磁性层刻蚀控制.