二手双束FIB-SEM，二手蔡司高分辨双束扫描电镜 Crossbeam 350

蔡司Crossbeam系列

轻松发现和设计先进材料

使用蔡司Crossbeam使您在三维纳米分析流程中获益

将场发射电子显微镜的成像与分析能力与聚焦离子束的加工能力结合。

无论是刻蚀，成像或做三维分析，Crossbeam将提高聚焦离子束的应用速率。通过新的能谱模块实现大部分的三维成分分析工作。

您可自主选择使用蔡司 Crossbeam 340的可变气压功能，或者使用Crossbeam 550来满足您急需的表征应用。

现在有更大的样品舱室供您选择。

Crossbeam的优势

最大化SEM的探测能力

低电压电子束分辨率提升高达30%。

无论是二维表面成像或三维重构，蔡司Crossbeam的扫描电子束均可提供优异的表现。借助于Tandem decel在样品上施加电压，Gemini光学系统可以在1kV下获得高达1.4nm的分辨率，从而对任意样品均可获得优秀的图像。可通过一系列的探测器表征您的样品。通过独特的Inlens EsB探测器，可获取纯的材料成分衬度信息。表征不导电样品可以不受荷电效应的影响。

提高您的FIB样品的测试加工效率

通过FIB智能的刻蚀策略，其材料移除速率可提升高达40%。

在镓离子类型的FIB-SEM中采用了大离子束束流。使用高达100nA的离子束束流可显著节约时间，同时具有优秀的FIB束斑形状，从而获得高分辨率。得益于智能的FIB扫描策略，移除材料时高效且精准。可自动批量制取样品，例如截面，TEM样品薄片或任何使用者自定义的图形。

在FIB-SEM分析中体验优异的三维空间分辨率

体验整合的三维能谱分析所带来的优势

可使用蔡司Atlas 5软件扩展您的Crossbeam，它是一个针对快速而准确的三维断层成像的软硬件包。使用Atlas 5中集成的三维分析模块可在三维断层成像的过程中进行能谱分析蔡司Crossbeam将Gemini电子束镜筒和定制的聚焦离子束镜筒结合起来，从而获得高精度与速度。因此FIB-SEM的断层成像可获得优异的三维空间分辨率和各向同性的三维体素尺寸。使用Inlens EsB探测器，探测深度小于3nm，可获得表面敏感的、材料成分衬度图像

技术参数：

扫描电子显微镜（SEM）          肖特基发射源

                                                           1.7 nm @ 1 kV

                                                           0.9 nm @ 15 kV

                                                           0.7 nm @ 30 kV（STEM 模式）

                                                           2.3 nm @ 1 kV（工作距离 5 mm）

                                                           1.1 nm @ 15kV（工作距离 5 mm）

                                                           2.3 nm @ 20 kV & 10 nA（工作距离 5 mm）

                                                          电子束流：5 pA – 100 nA

聚焦离子束（FIB）                    液态金属离子源：寿命：3000 μAh

                                                         分辨率：3 nm @ 30 kV（统计方法）

检测器                                             Inlens SE、Inlens EsB、VPSE（可变气压二次电子探测器）、 SESI（二次电子二次离子探测器）、aSTEM                                                             （扫描透射电子探测器）、 aBSD（背散射探测器）

样品仓规格和端口                      标准样品仓配有 18 个可配置端口

样品台                                             X /Y = 100 mm

                                                          Z = 50 mm，Z‘ = 13 mm

                                                          T = –4° 至 70°，R = 360°

电荷控制                                        电子束流枪

                                                          局部电荷中和器

                                                          可变气压

气体                                                 单通道气体注入系统：Pt、C、SiOx 、W、H2 O 

                                                          多通道气体注入系统：Pt、C、W、Au、H2 O、SiOX、 XeF2

存储分辨率                                    32 k × 24 k（使用选配的 ATLAS 5 3D 断层扫描模块，可高达 50 k × 40 k）

可选分析附件                                EDS、EBSD、WDS、SIMS，如有需要还可提供其他选件

优势                                                  由于采用可变气压模式及广泛的原位实验，可大幅扩大样品兼容性。

可伸缩 ToF-SIMS 二次离子质谱仪

                                                            探测限值：< 4,2 ppm（硅中的硼） 

                                                            横向分辨率：< 35 nm 

                                                             质荷比范围：1-500 Th 

                                                            质量分辨率：m/Δm > 500 FWTM 

                                                            纵向分辨率：< 20 nm AlAs/GaAs 多层结构

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