深圳某电子公司采用Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 对陶瓷板的 Pt、Au、Cr 薄膜刻蚀, 高端印制电路板生产为主 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数 Φ4 inch X 12片基片尺寸Φ4 inch X 12片Φ5 inch X 10片Φ6 inch X 8片均匀性±5%硅片刻蚀率20 nm/min样品台直接冷却,水冷离
某陶瓷基片制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于 5G 陶瓷基片银薄膜减薄, 通过蚀刻工艺把基片涂层银薄膜刻蚀减薄, 并降低工差, 提高薄膜均匀性.Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数 Φ4 inch X 12片基片尺寸Φ4 inch X 12片Φ5 inch X 10片Φ6
安徽某晶体厂商采用 hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 刻蚀滤波器钽酸锂晶片, 采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题, 使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数: Φ4 inch X 12片基片尺寸Φ4 inch X 12片Φ5 inch X 10片Φ6 inch X 8片