NRE-4000 (A) 全自动反应离子刻蚀

NRE-4000（A）全自动反应离子刻蚀概述：

NRE-4000是一款独立式RIE反应离子刻蚀系统，配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持至大到12”的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10^-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。

该系统是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。

NRE-4000（A）全自动反应离子刻蚀产品特点：

·         铝质腔体或不锈钢腔体

·         不锈钢立柜

·         能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属

·         典型的硅刻蚀速率，400 ?/min

·         高达12”的阳极氧化铝RF样品台

·         水冷及加热的RF样品台

·         大自偏压

·         淋浴头气流分布

·         极限真空5x10^-7Torr，20分钟内可以达到10^-6Torr级别

·         涡轮分子泵

·         至多支持8个MFC

·         无绕曲气体管路

·         自动下游压力控制

·         双刻蚀能力支持：RIE以及PE刻蚀（可选）

·         终点监测

·         气动升降顶盖

·         自动上下载片

·         预真空锁

·         基于LabView软件的PC计算机全自动控制

·         菜单驱动，4级密码访问保护

·         完全的安全联锁

·         可选ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀

Features：

·         Aluminum or Stainless Steel Chamber

·         Stainless Steel Cabinet

·         Capable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metals

·         Typical Si etch rate, 400 ?/min

·         Up to 12“ Anodized RF Platen

·         Water Cooled and Heated RF Platen

·         Large Self Bias

·         Shower Head gas distribution

·         Approximay 10^-6 Torr < 20 minutes, ~ 5 x10^-7 Torr base pressure

·         Turbomolecular Pump

·         Up to eight MFCs

·         No flexing of gas lines

·         Down Stream Pressure Control

·         Dual Etch capability: RIE and Plasma Etch（Option）

·         End Point Detection

·         Pneumatically Lifted Top

·         Automatic loading/unloading

·         Load Lock

·         PC Controlled with LabVIEW

·         Recipe Driven, Password Protected

·         ully Safety Interlocked 

·         Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch

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