pecvd化学气相沉积
System 100 -等离子刻蚀与沉积设备该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进行快速的晶片更换、采用多种工艺气体并扩大了允许的温度范围。 具有工艺灵活性，适用于化合物半导体，光电子学，光子学，微机电系统和微流体技术， PlasmalabSystem100可以有很多的配置，详情如下。主要特点可处理8 &q......
根据等离子体的类型，PECVD反应器被分为直接或远程系统。 在直接PECVD工艺中，所有反应气体（SiH4、Cl2、SF6）和任何惰性气体（Ar）的等离子体激发都是在反应器中进行的，基片就放在反应器中。这意味着基片也被浸泡在等离子体中。直接PECVD反应器的一个主要缺点是，由于离子轰击，可能会有造成表面损伤，这增加了受影响区域的重组率。Syste......
工艺一些使用Plasmalab System100等离子刻蚀与沉积设备的例子：低温硅刻蚀，深硅刻蚀和SOI工艺，应用于MEMS ，微流体技术和光子技术用于激光器端面的III - V族刻蚀工艺，通过刻蚀孔、光子晶体和许多其他应用，材料范围广泛（InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等） GaN、Al......
针对HBLED苟刻的化学环境要求，PlasmaPro100 Sapphire具有特殊的设计，可以在直径为200mm的晶片上进行快速和均匀的刻蚀。牛津仪器一直努力地为客户提供创新的、有效控制成本和可靠的工艺方案。这个zei新设计的设备满足了所有的要求。zei新的单晶片刻蚀技术-PlasmaPro100 Sapphire。牛津仪器致力于固态照明的技术革新，凭......
zei新的单晶片刻蚀技术-PlasmaPro100 Sapphire。牛津仪器致力于固态照明的技术革新，凭着在HBLED相关材料方面经验丰富，设备使用成本控制和符合产量要求的同时，我们的新技术还可以zei大化地提高客户的产品良率。 针对HBLED苟刻的化学环境要求，PlasmaPro100 Sapphire具有特殊的设计，可......
在远程PECVD工艺中，反应气体和任何惰性气体的等离子体均是远程产生。活性物质被提取并输送到一个无等离子体的区域，在那里它们被混合并与其他反应物发生反应，形成前体分子。薄膜被沉积在无等离子体区域的加热基片上。System 100 -等离子刻蚀与沉积设备该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进行快速的晶片更换、采用多种工......
牛津仪器镀膜机PlasmaPro 100 PECVD用于测定Power Semiconductors，符合行业标准Oxford Instruments。适用Power Semiconductors项目。 失效分析 选择单晶片/批处理或盒式进样，采用真空进样室。 该PlasmalabSystem100可以集成到一个集群系统中，采用中央机械手传送晶片，生产工艺中......
牛津仪器等离子体增强化学气相沉积系统PlasmaPro 100 PECVD可以用在纳米材料行业领域，用来检测Nano Material，可完成Nano Material项目。符合多项行业标准Oxford Instruments。 纳米材料生长和表征 选择单晶片/批处理或盒式进样，采用真空进样室。 该PlasmalabSystem100可以集成到一个集群系统中......
牛津仪器等离子体增强化学气相沉积系统PlasmaPro 100 PECVD适用于Power Semiconductors项目，参考多项行业标准Oxford Instruments。可以检测Power Semiconductors等样品。可应用于高分子材料行业领域。 半导体制造解决方案 选择单晶片/批处理或盒式进样，采用真空进样室。 该PlasmalabSys......
牛津仪器镀膜机PlasmaPro 100 PECVD可以用在纳米材料行业领域，用来检测Power Semiconductors，可完成Power Semiconductors项目。符合多项行业标准Oxford Instruments。 半导体制造解决方案 System 100 -等离子刻蚀与沉积设备该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采......