mesa刻蚀
牛津仪器等离子体技术公司宣布与沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）核心实验室达成一项重要协议。根据该协议，KAUST将受益于增加两个牛津仪器PlasmaPro100 Cobra原子层蚀刻（ALE）系统，以增加其现有的牛津仪器FlexAL原子层沉积（ALD）能力。PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极，能够在很宽的温度范围内进行......
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极，能够在很宽的温度范围内进行工艺，具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力，该工艺模块可提供具有高度均匀，高产量和高精度的工艺。•电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C •兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 •快速更换到不同尺寸的晶圆工艺 •购置成本低且......
检测器：SDD 检测器（无需液氮）测定元素：Al (13) ~ U (92)测量对象：固体、液体、粉体准直器：1.2mm、3mm、7mm（自动切换）一次滤光片：4 种8 元素（自动切换）电源：100-240V、50/60Hz可使用内置电池产品特点Speedy: zei新型检测器大幅提高测量速度和灵敏度Small: 体积小、重量轻，一人即可搬动。内置......
牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可达90%以上，一旦设备安装完毕，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广，包括但不限于： MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性，可用于研究和开发，通过打造质量满足生产需求。PlasmaPro 100 ALE ......
品牌:牛津仪器型号:PlasmaPro100 ALE产地:欧洲PlasmaPro 100系列市场应用广，包括但不限于： MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性，可用于研究和开发，通过打造质量满足生产需求。PlasmaPro 100 ALE 的特点:准确的刻蚀深度控制；光滑的刻蚀表面低损伤工艺数字化/循环式刻蚀工艺——刻蚀......
PlasmaPro 100 ALE为下一代半导体器件材料刻蚀提供精确的工艺控制。PlasmaPro 100系列市场应用广，包括但不限于： MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性，可用于研究和开发，通过打造质量满足生产需求。PlasmaPro 100 ALE 的特点:准确的刻蚀深度控制；光滑的刻蚀表面低损伤工艺数字化/循环......
PlasmaPro 100 ALE 的特点:准确的刻蚀深度控制；光滑的刻蚀表面低损伤工艺数字化/循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD高选择比能加工最大200mm的晶圆高深宽比（HAR）刻蚀工艺非常适于刻蚀纳米级薄层应用III-V族材料刻蚀工艺固体激光器InP刻蚀VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀 射频器件低损伤GaN刻蚀硅 Bosch和......
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀InSb—刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷刻蚀InGaAlP—刻蚀铝镓铟磷刻蚀InP—刻蚀磷化铟刻蚀InAlAs—刻蚀砷化铟铝刻蚀InP/......
品牌:牛津仪器型号:PlasmaPro100 Estrelas产地:欧洲PlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）、 先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展，PlasmaPro 100 Estrelas 提供了工艺灵活性。光滑侧壁工艺高......
PlasmaPro100 EstrelasPlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）、 先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展，PlasmaPro 100 Estrelas 提供了工艺灵活性。光滑侧壁工艺高刻蚀速率腔刻蚀高深宽比工艺锥形......