离子刻蚀
EIS-200是Elionix推出的一款基于电子回旋共振技术（ECR）的小型离子束蚀刻系统，特别适合于科研用离子束刻蚀、减薄，清洗、沉积等。EIS-200原理：利用ECR技术产生高能Ar+离子束，Ar+离子束通过电场加速到达样品表面，对样品进行物理的轰击达到刻蚀作用。 &......
因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准上海伯东日本原装进口 NS 离子束刻蚀机 20 IBE-C, 适用于中等规模的实验室研究, 满足 3寸, 4寸, 6寸, 8寸多片的材料刻蚀. 采用自研公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%. 离子束刻蚀......
SI 591反应离子刻蚀（RIE）设备采用模块化设计，适用于III/V半导体和Si加工工艺，具备高均匀性和优重复性的蚀刻工艺。其主要特点包括预真空锁loadlock、电脑控制操作、数据资料记录及穿墙式安装方式等。SI 591反应离子刻蚀（RIE）设备支持全自动/手动过程控制，智能过程控制及多用户权限设置，可选配多种功能以满足不同需求。核心参数• 样品处理能力......
nano Etch反应离子（RIE）刻蚀系统，专为石墨烯和2D材料的高精度加工设计。nanoETCH具备高精度射频源和毫瓦级功率控制，能实现逐层刻蚀及层内缺陷制造，并已在多家研究机构验证其性能。该系统适用于多种二维材料处理任务，具有易于维护、安全性高等优点。石墨烯等二维材料的微纳加工与刻蚀需要很高的精度，而目前成熟的传统半导体刻蚀系统在面对单层材料的高精度刻......
PlasmaPro 80 ICP等离子刻蚀设备是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统，可提供多种刻蚀解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺质量。直开式设计允许快速的进行晶圆装卸，是科学研究、原型设计和少量生产的理想选择。 该设备通过优化了的电极冷却技术和出色的衬底温度控制来实现高度稳定的工艺结果。直开式设计允许快速装卸晶圆出色的刻蚀深度和刻蚀速......
SI 591反应离子刻蚀（RIE）设备采用模块化设计，适用于III/V半导体和Si加工工艺，具备高均匀性和优重复性的蚀刻工艺。其主要特点包括预真空锁loadlock、电脑控制操作、数据资料记录及穿墙式安装方式等。SI 591反应离子刻蚀（RIE）设备支持全自动/手动过程控制，智能过程控制及多用户权限设置，可选配多种功能以满足不同需求。核心参数• 样品处理能力......
nano Etch反应离子（RIE）刻蚀系统，专为石墨烯和2D材料的高精度加工设计。nanoETCH具备高精度射频源和毫瓦级功率控制，能实现逐层刻蚀及层内缺陷制造，并已在多家研究机构验证其性能。该系统适用于多种二维材料处理任务，具有易于维护、安全性高等优点。石墨烯等二维材料的微纳加工与刻蚀需要很高的精度，而目前成熟的传统半导体刻蚀系统在面对单层材料的高精度刻......
PlasmaPro 80 ICP等离子刻蚀设备是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统，可提供多种刻蚀解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺质量。直开式设计允许快速的进行晶圆装卸，是科学研究、原型设计和少量生产的理想选择。 该设备通过优化了的电极冷却技术和出色的衬底温度控制来实现高度稳定的工艺结果。直开式设计允许快速装卸晶圆出色的刻蚀深度和刻蚀速......