反应离子刻蚀
仪器简介： 应用： -聚合物或光阻的等温各向同性干刻 -硅片或玻璃表面清洁 -硅表面氧化去除 技术参数： 配置，随机附件、备品备件： （1）6英寸水冷样品台 （2）200瓦射频发生器和手动匹配器，watt RF Generator and manual matching network (3) 双数字......
仪器简介：美国NANOMASTER公司提供高性能反应离子刻蚀系统，能够满足多种金属和非金属刻蚀的需要。该系统可以选用RF、空阴极等离子体、感应耦合等离子体（ICP）和微波等离子体源来满足不同材料刻蚀的需要。技术参数：控制： PC控制（Lab View） 腔： 13寸铝质 基座托： 13℃水冷 -120℃低温制冷 气体供应：喷头，MFC，SS管路 ......
SI 591反应离子刻蚀（RIE）设备采用模块化设计，适用于III/V半导体和Si加工工艺，具备高均匀性和优重复性的蚀刻工艺。其主要特点包括预真空锁loadlock、电脑控制操作、数据资料记录及穿墙式安装方式等。SI 591反应离子刻蚀（RIE）设备支持全自动/手动过程控制，智能过程控制及多用户权限设置，可选配多种功能以满足不同需求。核心参数• 样品处理能力......
PlasmaPro 100 RIE反应离子刻蚀设备可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺。兼容200mm以下所有尺寸的晶圆快速更换不同尺寸晶圆购置成本低且易于维护出色的均匀性，高产量和高工艺精度实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺电极的适用温度范围宽，-150°C至400°CPlasmaPro 100 RIE反应离子刻蚀设备特点：通过均匀的高导通路径连接的腔......
PlasmaPro 80 RIE反应离子刻蚀设备是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。直开式设计允许快速装卸晶圆出色的刻蚀控制和速率测定出色的晶圆温度均匀......
PlasmaPro 800 RIE反应离子刻蚀设备是结构紧凑、且使用方便的直开式系统，该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻（RIE）工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶圆平台能够处理量产级别的批量以及300mm晶圆的工艺。Full overview >高性能工艺准确的衬底温度控制准确的工艺控制成熟的300mm单晶圆失效分析工艺为化合物半导......
SI 591反应离子刻蚀（RIE）设备采用模块化设计，适用于III/V半导体和Si加工工艺，具备高均匀性和优重复性的蚀刻工艺。其主要特点包括预真空锁loadlock、电脑控制操作、数据资料记录及穿墙式安装方式等。SI 591反应离子刻蚀（RIE）设备支持全自动/手动过程控制，智能过程控制及多用户权限设置，可选配多种功能以满足不同需求。核心参数• 样品处理能力......
PlasmaPro 100 RIE反应离子刻蚀设备可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺。兼容200mm以下所有尺寸的晶圆快速更换不同尺寸晶圆购置成本低且易于维护 出色的均匀性，高产量和高工艺精度实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺电极的适用温度范围宽，-150°C至400°CPlasmaPro 100 RIE反应离子刻......
PlasmaPro 80 RIE反应离子刻蚀设备是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。直开式设计允许快速装卸晶圆出色的刻蚀控制和速率测定出色的晶圆温度均匀......
PlasmaPro 800 RIE反应离子刻蚀设备是结构紧凑、且使用方便的直开式系统，该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻（RIE）工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶圆平台能够处理量产级别的批量以及300mm晶圆的工艺。Full overview >高性能工艺准确的衬底温度控制准确的工艺控制成熟的300mm单晶圆失效分析工艺为化合物半导......