网络研讨会 | 微纳米尺度下的二次离子质谱（SIMS）分析技术及其应用邀请函

2025-04-21 16:39:10, 蔡司显微镜 卡尔蔡司(上海)管理有限公司

▲左图：AlAs GaAs 多层结构横截面的SEM图像。AlAs厚层为 10nm。右图：对应的SEM深度剖面图中，其显示了上部11层中铝（27amu）的分布。


众所周知，作为材料分析表征的一种常用手段，能谱（EDS）技术能够获得材料中的元素成分信息。然而，由于其本身物理机制及技术的限制，EDS在元素种类、分辨率及灵敏度等方面仍然面临诸多瓶颈。二次离子质谱（SIMS）技术，同样作为一种元素成分分析手段，能够有效弥补EDS技术的不足。SIMS能够探测元素周期表中所有的元素（包括H，Li，B等低原子序数元素），以及同位素、离子团簇和官能团等。同时，作为一种极表面敏感的分析手段，SIMS的浓度检测限可低至ppm级，且最高可实现~10nm级的三维空间分辨能力。从而可深入揭示材料表面和内部成分、掺杂及杂质、同位素表征等信息，并广泛应用于材料研究、电池、光伏、半导体、地质/矿物，以及环境等各个领域。
 
在此次研讨会上，我们将详细讲解SIMS技术，并介绍全新的基于蔡司FIB-SEM系统和氖离子显微系统的SIMS产品线。通过材料的失效分析，锂离子电池和太阳能电池等一系列应用案例，帮助研究人员更加深入地理解SIMS技术的应用，从而解决科研中所面临的关键问题。 


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时间：2019-10-30 星期二 | 0:00


语言：英文


会议主要内容：

✓SIMS技术基础知识介绍

✓基于蔡司双束FIB-SEM平台的SIMS及其应用探讨

✓在蔡司氦离子显微镜上，如何利用氖离子束实现超高空间分辨率的SIMS


主讲人：

Fabián Pérez Willard 博士（蔡司德国资深产品专家)

Douglas Runt（蔡司美国产品经理）



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