高温可达3000℃！高温高压光学浮区炉顺利落户中国电子科技集团公司第九研究所

目前，高熔点、易挥发性材料是浮区法单晶生长领域的技术难点之一。针对于此，德国ScIDre公司研发推出了HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉，设备可提供高达3000℃以上的生长温度，同时晶体生长腔可实现高达300bar的压力，可通过高压手段达到抑制挥发的作用。HKZ的诞生进一步优化了光学浮区法单晶炉的生长工艺条件，拓宽了光学浮区技术的应用场景，使得高熔点、易挥发性材料的单晶生长成为了可能。

图3：德国ScIDre公司HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉

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德国ScIDre公司HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉技术特色：

☛ 采用垂直式光路设计方案，加热更均匀

☛ 可同时实现压力高达300bar（选配）和温度高达3000℃（选配）；

☛ 能够独立控制不同气体的流速和流量，能够实现样品生长的气体定速、定量混合供气；

☛ 在保持氙灯输出功率恒定的情况下，采用调节光阑（shutter）的方式对熔区进行控温；

☛ 能够针对不同温度需求采用不同功率的氙灯，从而对灯泡进行有效利用，充分发挥灯泡使用效率和寿命；

☛ 拥有丰富的功能选件可进行选择和拓展，包括专利熔区红外测温选件、1×10^-5mbar的高真空选件、实现氧含量达10^-12PPM的气体除杂选件、对长成的单晶可提供高压氧环境退火装置选件等。

图4：高温高压光学浮区法单晶炉光路原理示意图

中国电子科技集团公司第九研究所（西南应用磁学研究所），主要从事磁性功能材料方向的研发、生产和基础研究，是我国磁学领域重要的综合性应用磁学研究机构之一。Quantum Design中国非常荣幸将德国ScIDre公司生产的HKZ高温高压光学浮区法单晶炉安装于中国电子科技集团公司第九研究所，该系统将为用户单位在磁性功能材料及其他新材料探索等诸领域的科研工作提供相关单晶样品制备支持！