以光为刀，助攻微纳器件制备 —无掩模UV光刻机重磅出击

紫外投影光刻通过将特定形状的光斑投射到器件表面涂敷的光刻胶上，光刻胶被辐照区域产生化学变化，在曝光、显影后即可形成微米精度的图样；通过进一步的刻蚀或蒸镀，最终可在样品表面形成所需要的结构。作为材料、器件、微结构与微器件常用的制备技术，紫外投影光刻被广泛用于维纳结构制备、半导体器件电极制备、太赫兹/毫米波器件制备、光学掩模版制备、PCB制造等应用中。

先锋科技代理品牌TuoTuo科技，其基于多年微纳结构制备经验，自主研发高均匀度紫外光源，高保真指引光路，高精度、大行程、大承载纳米位移台等核心技术，结合高稳定机械结构、自动化和软件设计，推出全自动高精度无掩模光刻机。

专有设计的投影光路确保亚微米的刻写精度，典型值可以达到几百纳米；

图4 拼接功能；右下图为全幅待刻写图样，

左下图为单次曝光区域

单次曝光能够刻写的区域受显微物镜视场限制，高分辨刻写时刻写区域较小。大区域、高分辨刻写时，系统通过样品平移扫描的方式进行拼接刻写。

拼接刻写完全是自动化的，用户只需要导入所需要的图形即可。可使用软件对图形进行缩放、旋转、平移等操作，以实现理想的定位和尺寸。

拼接所采用的高精度平移台保证±100nm的绝对定位精度，确保亚微米尺度光刻的无缝过渡。最大拼接尺寸可达200mm。

无掩模光刻系统的图样可以实时调整，所以拼刻的图形可以是任意形状的而不限于周期图样。

电动Z轴平移及自动对焦：可方便用户对焦，并实现对表面凹凸、倾斜样品的准确刻写；

环境防护：标配UV防护功能；标配机箱除湿功能，确保长时间自动光刻时样品不受湿度变化影响；

灰度刻写功能：支持对指定区域的曝光量进行设定，实现灰度刻写；

订制手套箱兼容的光刻系统，样品自旋涂-曝光-显影-后处理均在手套箱内完成，适用于对氧气敏感的样品；

图5 已交互客户的手套箱内UV光刻系统示意图

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