“2+4”QE检测的多种可能性

1.晶体硅太阳电池测试

晶体硅太阳电池目前主要包括单晶硅、多晶硅电池，其特点是性能稳定、市场化工艺成熟，常规样 品尺寸为125mm或156mm的方形电池片。目前QE系统用于工业化产品检测的主要是针对此类应用，可通过内外量子效率、反射率等参数分析电池片性能和 均匀性，有助于成品效率提升。针对此类应用，选择快速Mapping扫描功能，可以提供和分析快速mapping测试可以提供缺陷相关LBIC影像图。晶 体硅太阳电池通常测试外量子效率、反射率、内量子效率以及表面均匀性（mapping扫描）。

样品概述： 晶体硅电池 156mm*156mm 测试条件： 光谱范围： 300~1100nm 测试光斑：Φ10mm 调制频率：170Hz 时间常数：100ms 环境温度: 25±1℃

Mapping测试条件 室温扫描步长 1mm 扫描时间 5min 测试波长 550nm。

测量项目：
光谱响应度、外量子效率、反射率、内量子效率、短路电流密度。

2.非晶硅薄膜太阳电池测试

    非晶硅薄膜太阳电池是目前市场上少数具有能力挑战晶体硅电池主流地位的电池种类。它的主要特点是成本低廉，非常有利于太阳能的普及。
    非晶硅薄膜太阳电池可以分为单结、双结和三结等，每一个PN结都可以看做一个子电池。因此在测量时应注意采用偏置光进行配合才能得到正确的结果。
    非晶硅薄膜太阳电池通常测量外量子效率，多结电池需要测每个PN结的量子效率和短路电流密度。

三结非晶硅薄膜太阳电池结构

非晶硅薄膜太阳电池样品实物图

样品概述多结薄膜电池（非晶/微晶/微晶锗硅）
100mm*100mm
测试条件：光谱范围： 300~1100nm
测试光斑：Φ2.5mm
调制频率：180Hz
时间常数：300ms
蓝光、红光偏置
环境温度: 25±1℃
测量项目：子电池的外量子效率、短路电流密度

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