5月26日讲座：导电原子力显微镜原位观测电子突触的纳米级动态响应

  神经形态和类脑计算具有并行处理和存储大量数据的能力且功耗低等优点，正在引起学术界和工业界的巨大关注。三端晶体管或两端忆阻器等电子器件常被用来模拟神经突触的可塑性等行为，而目前大多数报道的电学仿生突触尺寸较大（>1 um²），难以满足工业要求的高集成密度（10¹⁰ 器件/mm²）。

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  在本次讲座中将介绍如何利用导电原子力显微镜（CAFM）结合半导体参数分析仪（SPA）在纳米尺寸（~50nm²）原位观测忆阻型电子突触的动态响应，以及多种可塑性行为的模拟，包括低功耗双脉冲易化、兴奋性突触后电流、长时程增强/抑制等。本工作为研究纳米尺寸突触行为的探索提供了一种新的研究方法。

报告人介绍

惠飞，郑州大学材料科学与工程学院研究员。2018年获得西班牙巴塞罗那大学和苏州大学双博士学位，2018-2021年以色列理工学院博士后。博士期间，曾先后到世界顶级名校美国麻省理工学院和英国剑桥大学访学交流。在科研成果方面，共发表SCI期刊学术论文48篇，其中以第一/通讯作者身份发表学术论文13篇，包括Nature Electronics、Advanced Materials、Advanced Functional Materials、Small等。参与撰写专著篇章一部（发表在Wiley-VCH），获授权国家发明专利两项。在多个期刊和国际会议担任学术职务，如IEEE EDS Nanotechnology委员会成员；Nanotechnology, Electronics等期刊编委，IEEE IRPS、IEEE IPFA等会议技术委员会成员；受邀在美国物理学会（2021 APS March Meeting）等做学术报告。主要研究方向是纳米电子学表征及二维材料在信息存储和神经态计算中的应用。