线上研讨会 | 宽禁带功率器件的界面挑战及解决方案

碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带（WBG）半导体材料正在重塑功率电子领域的未来格局，助力器件实现更高能效、更强可靠性，以及在极端工况下的稳定运行。 

随着电动汽车、可再生能源、数据中心及工业基础设施领域的需求激增，界面工程技术与先进等离子体加工工艺，已成为推动宽禁带半导体技术商业化落地的关键核心要素。 

本次研讨会中，来自产业界与学术界的专家将分享近期合作研究成果，重点阐述原子层沉积（ALD）、原子层刻蚀（ALE）等原子级等离子体技术，以及先进表面预处理工艺，如何破解碳化硅与氮化镓器件制造过程中的关键技术瓶颈。参会者将深入了解改善器件界面质量、提升性能与可靠性，以及推动先进工艺向大规模量产升级的实操思路。 

您将了解：

• 碳化硅与氮化镓材料如何赋能交通、能源及工业领域的高效能功率电子器件研发 

• 宽禁带半导体器件制造过程中，在界面特性、可靠性及良率方面面临的核心挑战 

• 适用于氮化镓功率与射频器件大规模制造的原子层沉积、原子层刻蚀解决方案 

• 支撑碳化硅功率器件商业化量产的可扩展等离子体加工工艺

• 改善器件性能与使用寿命的表面工程技术策略 

• 用于工艺优化的先进表征技术，包括电子背散射衍射（EBSD）与原子力显微镜（AFM）技术‌  

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