2025-12-30 15:55:37 光焱科技股份有限公司
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研究背景与技术挑战
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现状与瓶颈
钙钛矿太阳电池(PSCs)具有高功率转换效率(PCE)和可溶液制程优势,小面积器件效率已超过27%,但大面积组件(PSMs,面积大于200 cm²)的稳定性仍是关键挑战。传统高效器件依赖昂贵的贵金属电极,但钙钛矿中卤素会使其离子化降解。
碳电极成本低、稳定性好,与印刷工艺兼容,是全印刷碳基PSMs的理想选择。然而C-PSMs效率(超过18%)仍落后于金属电极器件,主要因为全印刷工艺与高效空穴传输材料(如Spiro-OMeTAD或PTAA)不兼容,导致界面载流子提取效率低,引发电荷积累和严重的非辐射复合。
团队与期刊简介
此项研究由北京大学深圳研究生院的杨世和教授、北京理工大学的白阳教授以及北航大学的陈海宁教授共同领导,成果发表于国际顶级期刊《自然·光子学》(Nature Photonics)。
改进路径与核心成果
为解决非辐射复合问题并提升载流子提取效率,该团队开发了一种可规模化的气相后处理策略。研究采用小分子量、低沸点的液态氟苯硫酚分子(2FP、3FP、4FP)进行气相钝化。这些分子的硫醇基(-SH)预期与钙钛矿表面未配位的Pb²⁺离子强烈配位,而氟原子和芳香族部分则可提高防潮性。
实验结果显示,此策略显着提升了组件性能,并同时保持了高稳定性。基于优化化学分子4FP的全印刷C-PSM(有效面积约50 cm²)实现了20.41%的PCE(经认证19.26%)。在65°C、1-sun连续最大功率点跟踪(MPPT)下,组件运行1,020 h后PCE衰减可忽略不计。未封装的C-PSMs在湿热测试(85°C、85% RH)2,280 h后,仍保持初始PCE的84%以上。(图4e)


J-V/VOC/EQE 电学与光电表征分析
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器件结构与制备
C-PSMs采用ITO/SnO₂/Perovskite/P3HT/Carbon结构。所有功能层均在10 cm × 10 cm的ITO基板上通过刮刀涂布在环境大气中完成沉积,组件包含12个子电池串联,有效面积50 cm²。在气相后处理之前,团队首先将碳纳米管(CNTs)掺入P3HT空穴传输层(HTL)中,形成电荷传输网络,将PCE从15.00%提升至16.60%。(图1a.c.d.e)

J-V曲线测量与扫描条件
冠军4FP处理的C-PSM表现出优异性能(图4e):VOC = 14.25 V,ISC = 94.62 mA,FF = 75.68%;PCE达到20.41%。

由于4FP气相处理有效钝化了缺陷,器件的I-V曲线迟滞现象明显减轻。冠军组件的稳态最大功率点输出(MPP)约为19.80%(图4f),与I-V曲线得出的PCE值吻合,证明了数据的可靠性。


VOC来源机制与损失分析
PCE的提升主要归因于VOC和FF的改善。气相处理通过均匀钝化钙钛矿层、降低缺陷密度、优化能级对齐和促进电荷转移,实现了性能提升。
对载流子动力学的分析印证了缺陷钝化:
暗电流分析(Dark J-V): CNT掺杂的P3HT HTL器件在暗态下显示出较低的漏电流和较小的V₁-V₂电压范围(与界面相互作用改善和空穴提取增强相关),并且在高电压区(V > V₃)具有更高的电流密度,表明串联电阻Rs降低。(图1h)

非辐射复合抑制: 时间分辨光致发光光谱(TRPL)(图3e)显示,4FP处理的薄膜平均载流子寿命(τavg)显着延长至389 ns,远高于原始薄膜的140 ns,证实缺陷密度降低和复合损失受到抑制。瞬态光电压(TPV)和瞬态光电流(TPC)测量进一步表明,所有气相处理器件均表现出更长的电荷寿命和更短的电荷传输时间。(图S36a.b)

缺陷密度量化: 空间电荷限制电流(SCLC)分析显示,陷阱填充极限电压(VTFL)从原始薄膜的0.83 V降至4FP薄膜的0.40 V,对应陷阱密度(nt)从4.59 × 10¹⁶ cm⁻³降至2.21 × 10¹⁶ cm⁻³。其中4FP钝化效果优异。(图S35)

EQE光谱与吸收/载流子收集效率: ISC值(94.62 mA)的可靠性与稳态输出功率的一致性,证明了载流子收集效率与JSC校准的准确性。(图4e.f)

辅助光电表征(PL Mapping)
研究使用Enlitech的SPCM-1000激光扫描共焦光致发光显微镜系统,进行PL强度图谱(PL mapping)测量。激发波长为450 nm,光斑直径500 nm。

表征简介与结果: PL强度图谱(图3d)用于直观呈现钙钛矿薄膜表面的发光均匀性和缺陷分布。结果显示,经气相处理后的薄膜,其PL强度较原始薄膜增加了近两倍。

在光电物理意涵上,稳态PL强度的增加直接反映了非辐射复合途径的有效抑制,即提高了薄膜的内部量子效率。PL图谱也被用于评估薄膜在热老化(85°C,100 h)下的相稳定性。相较于原始薄膜在老化后PL峰位分布显着拓宽,气相处理的薄膜表现出抑制的峰位漂移,表明分子钝化增强了薄膜的热稳定性。Enlitech SPCM-1000系统提供的空间分辨PL数据,证明了气相处理策略不仅提高了效率,也显着改善了薄膜均匀性与稳定性,特别是4FP处理展现出优异的表现。(图3g)


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结论与研究成果
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这项研究成功展示了一种可规模化的气相后处理策略,用于制备高效、高稳定性的全印刷C-PSMs。通过优化分子结构,特别是利用具有对位结构的4FP分子,实现了钙钛矿表面缺陷的有效且均匀钝化。
主要发现与性能总结
效率突破: C-PSMs的PCE达到20.41%(认证19.26%),是目前已报道的同等尺寸全印刷C-PSMs中效率领先的成果之一。(图S46)

稳定性优异: 在65°C、1-sun MPPT跟踪下1,020 h后无明显衰减。未封装器件在85°C/85% RH湿热条件下,经过2,280 h仍保持超过84%的初始效率。(图4i)

物理机制: 气相处理分子,尤其是4FP,通过硫醇基(-SH)与Pb²⁺离子形成强配位键(4FP具有结合能-0.597 eV),有效抑制了非辐射复合(τavg延长至389 ns),显着降低了陷阱密度。(图2e)

原文信息
文章标题:Vapour-assisted surface treatment for highly stable fully printed carbon-electrode perovskite solar modules
出处(期刊名称):nature photonics
出版日期:2025.11.03
DOI:https://doi.org/10.1038/s41566-025-01790-2
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