四篇 QFLS 论文一次看懂:非辐射复合、界面工程与叠层电池机制快速导读

2025-12-08 11:22:14 光焱科技股份有限公司




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本周学术回顾




本周学术回顾汇整四篇钙钛矿太阳能电池(PSCs)领域的突破性研究,重点聚焦于准费米能级分裂(QFLS)的精确表征与机制解析。QFLS作为核心量化指标,直接评估了非辐射复合损失的抑制效果,并透过详尽的QFLS-eVoc失配分析与伪Voc测量,验证了界面工程实现「零能量损耗」的物理基础。多项研究利用光致发光量子产率(PLQY)测量或电致发光(EL)分析,量化了界面修饰对载流子动力学的改善程度。


南方科技大学许宗祥、曲歌平教授团队研究

1

论文基本信息

  • 作者: 许宗祥、曲歌平教授团队

  • 题名: Synergistic Bulk and Interface Passivation via Conjugated Ionic     Additives Enables 26% Efficient PTAA-Based Perovskite Solar Cells

  • 期刊: Advanced Energy Materials

  • 发表年份/月份: 202511

  • DOI: 10.1002/aenm.202504647

研究对象

研究对象为PTAAn-i-p钙钛矿太阳能电池(PSCs)。关键材料为共轭离子添加剂MeQAPyBF4,用于体相与界面协同钝化。




 QFLS 相关表征




使用方法:QFLS计算(源自PLQY测量)、时间分辨光致发光(TRPL)、PL影像扫描(PL mapping)。

量测条件:PLQY测量用于间接计算QFLS,TRPL用于量化载流子寿命。


重要图表

Fig. 3f: 准费米能级分裂(QFLS)与开路电压非辐射复合损失(ΔVoc(non-rad))的比较柱状图。QFLS轴以eV,ΔVoc(non-rad)轴以mV计。

Table S5: 详列PLQYQFLSΔVoc(non-rad)数值。


关键数据

QFLS: Target薄膜的QFLS达到1.226伏特,高于Control薄膜的1.205伏特。

Voc: 器件VocControl1.173伏特提升至Target1.195伏特。

PLQY: Target薄膜的PLQY显着提升至9.27%,对照组Control4.03%

非辐射复合损失:Target薄膜的ΔVoc(non-rad)61毫伏特,低于Control薄膜的83毫伏特。QFLS增加21毫伏特,非辐射损失减少22毫伏特。

稳定度/寿命: 85°C热老化960小时后仍保持85%的初始光电转换效率(PCE)。

认证效率与面积:PCE最高达26.17%15.17平方厘米微型组件效率达到23.57%


研究结论

此研究证实共轭离子添加剂MeQAPyBF4的双位点协同钝化策略([MeQAPy]2+定位于界面/[BF4]-富集于埋底界面)有效抑制非辐射复合。QFLS数据精确量化了非辐射复合损失的减少,直接解释了Voc提升的物理机制。TRPL测量进一步左证了载流子动力学的改善,其中Target薄膜在Glass/PVK/PTAA结构中的载流子寿命(τavg)显着缩短至155.05纳秒,证明空穴提取效率加快。


华东师范大学方俊锋、李晓冬教授团队研究

2

论文基本信息

  • 作者: 方俊锋、李晓冬、付圣教授团队

  • 题名: Surface Halide Inversion Mitigates Voltage Losses in Wide-Bandgap     Perovskite for Efficient Tandem

  • 期刊: Angewandte Chemie International Edition

  • 发表年份/月份: 202511

  • DOI: 10.1002/anie.202512989

研究对象

研究对象为宽能隙(WBG,1.8 eV)钙钛矿用于全钙钛矿叠层太阳电池(APTSCs)。关键策略为通过氟化铯(CsF)后处理实现表面卤素反转(RHI)。





QFLS 相关表征




使用方法:QFLS计算(源自PLQY测量),QFLS在沉积电子传输层C60前后的对比分析。

量测条件:测量钙钛矿薄膜以及钙钛矿/C60堆栈结构的QFLS

重要图表

Fig. 3b: 比较未处理(W/O)与经CsF处理(CsF)的钙钛矿薄膜,在纯钙钛矿(PVK)与沉积C60后(PVK/C60)的QFLS数值变化。

关键数据

WBG PSC Voc: RHI处理的WBG PSC Voc达到1.368 V,高于对照组的1.312 V

APTSCs PCE: 全钙钛矿叠层电池效率达到29.15%,开路电压Voc2.178 V

QFLS损失: 未经RHI处理的对照组在沉积C60,QFLS显着降低了0.045 eV。经RHI处理的Target薄膜,QFLS损失大幅最小化至0.011 eV

载流子寿命:CsF处理使时间分辨PLTRPL)载流子寿命从0.197微秒延长至1.086微秒。

稳定度/寿命: APTSCs在最大功率点跟踪(MPPT)下T90寿命超过1,000小时。

研究结论

研究发现WBG钙钛矿表面的固有富碘化学计量是Voc损失的关键来源。QFLS分析作为核心定量证据,直接证明了CsF介导的RHI策略,通过表面重建,成功抑制了钙钛矿/C60界面处严重的载流子复合,QFLS损失从0.045 eV降至0.011 eV


香港城市大学朱宗龙教授团队研究

3


论文基本信息

  • 作者: 朱宗龙、吴鑫教授团队

  • 题名: Ultra-uniform perovskite film with minimized interconnection     energy loss for efficient perovskite/TOPCon tandem solar cells

  • 期刊: Joule

  • 发表年份/月份: 202510

  • DOI: 10.1016/j.joule.2025.102174

研究对象

研究对象为钙钛矿/隧道氧化层钝化接触(TOPCon)硅基叠层太阳能电池(TSCs)。关键材料为新型互连层ICL-3Me(使用非对称分子3-Me-4PACz)。




 QFLS 相关表征




使用方法:准费米能级分裂(QFLS)测量、绝对电致发光(EL)测量(用于重建伪Vocp-J-V曲线)。

量测条件:比较纯钙钛矿薄膜(neat material)、HTL堆栈和最终器件的QFLS值。EL测量用于重建Voc

重要图表

Fig. 4D: 比较硅子电池、钙钛矿子电池与叠层电池的Voc,其中包含EL重建的伪Voc。图中注记Voc,ITL-loss0 V

Fig. 3F: 单结PSC Voc损失的细部分解(体相损失、HTL损失、ETL损失、器件QFLS、器件VocQFLS-Voc失配)。


关键数据

叠层Voc:创纪录的2.023 V

叠层PCE:内部测量效率33.12%(反向扫描),认证效率32.32%

Voc损失定量: ICL-3Me器件的空穴传输层(HTL)损失仅为0.005 V,远低于ICL-Me40.027 V

QFLS-Voc失配: ICL-3Me器件的QFLS-Voc失配仅为0.011 V,显示内外电压高度匹配。

界面能量损耗:钙钛矿子电池(伪Voc 1.302 V)和硅基子电池(伪Voc 0.720 V)的伪Voc之和(2.022 V)与实测Voc2.023 V)几乎完全一致,证明互连层(ICL)界面能量损失约为零。

稳定度/寿命: MPPT连续跟踪1,000小时后,保持91.07%的初始效率。

研究结论

ICL-3Me策略通过提高互连层的润湿性与均匀性,成功消除了钙钛矿薄膜在粗糙TOPCon基板上的「湿斑」缺陷。QFLSEL分析提供了关键的量化支持,证实该界面设计在叠层器件中实现了可忽略不计的界面能量损失。



武汉大学方国家教授团队研究

4


论文基本信息

  • 作者: 方国家教授团队

  • 题名: Yttrium oxide engineered substrate enables improved durability for     perovskite solar cells

  • 期刊: Nature Communications

  • 发表年份/月份: 202510

  • DOI: 10.1038/s41467-025-64548-y

研究对象

研究对象为FTO基板稳定化。关键策略为利用可扩展热蒸镀与自然氧化技术,FTO表面形成原子键合的氧化钇(Y2O3)界面层(厚度约2 nm)。适用结构包括n-i-pp-i-n及全钙钛矿叠层电池。




QFLS 相关表征




使用方法:QFLS-Maper设备进行准费米能级分裂(QFLS)表征、QFLS映射图(mapping)、Mott-Schottky分析。

量测条件:QFLS分析评估Y2O3界面层对非辐射复合的抑制作用。

重要图表

Supplementary Fig. 24a, b, c:QFLS映射图与QFLS统计直方图,用于比较ControlTarget样品的QFLS空间分布与数值提升。

Fig. 5g: Y2O3增强型器件在连续工作1,200小时后的PCE归一化时序图。


关键数据

QFLS: 掺入Y2O3Target样品展示出明显更高的QFLS值。更高的QFLS值直接表明非辐射复合损失得到有效抑制。

内建电位(Vbi:Mott-Schottky分析显示VbiControl0.83 V增加至Target0.95 V

器件效率:n-i-p结构PCE达到26.48%(认证26.12%)。p-i-n结构PCE达到26.34%。全钙钛矿叠层电池PCE达到28.47%

稳定度/寿命: 未封装器件在连续工作1,200小时后仍保持近98%的初始效率。

研究结论

此研究揭示FTO基板在操作压力下存在本质不稳定性。Y2O3界面工程通过原子键合与高黏附功(Wad达到6.86 J/m²,稳定FTO基板,同时作为阻挡层抑制离子迁移与界面非辐射复合。QFLS的提升与Vbi的增加,量化了Y2O3在提升光电质量与Voc方面的关键作用。


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