2025-09-04 10:43:59, Horton 清砥量子科学仪器(北京)有限公司
胶体量子点(quantum dots, QDs)具有色纯度高、波长可调控、发光效率优异、溶液可加工等优点,有利于量子点发光二极管(quantum dot light emitting diode, QLED)在低成本、柔性、大面积显示和固态照明等领域的应用。目前,由于几个关键因素,包括强约束的大尺寸量子点的发展,顶发射器件架构的引入,和优化载流子传输层材料以提高效率和电荷平衡等, QLED效率的最新研究进展是显著的。尽管满足了显示应用的基本效率指标,但QLED在显示器中的实际应用仍然面临着重大挑战。
在QLED中,最常用的空穴注入层(HIL)是聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT:PSS),它在红色、绿色和蓝色发射器件中显示出超过20%的高外部量子效率(EQEs)。然而,PEDOT:PSS HIL也存在下述问题制约其应用潜力:
(1)质量差的喷墨印刷膜:水溶剂的高表面张力,加上其蒸气压低,经常导致液态亚层收缩,最终导致“咖啡环”现象的表现。
(2)酸性表面:PEDOT:PSS中存在活性质子,在电应力或长期储存过程中容易扩散到量子点层,不利于器件的效率和稳定性。
(3)器件降解:PEDOT:PSS的吸湿性有利于吸收环境水分,最终在老化过程中导致功能层降解。
(4)团聚:PEDOT:PSS很容易在溶液中聚集,使其难以存储,处理和处理。
基于上述问题,澳门大学王双鹏、Kar Wei Ng和南方科技大学陈树明&深圳职业技术大学Zhen Yin等人从研究金属在器件内的扩散机制开始。QLED在工作过程中退化的原因是PEDOT:PSS对ITO的腐蚀,导致In离子的渗入,最终造成QD发光的猝灭。用[4-(3,6-二溴- 9h -咔唑-9-基)丁基]膦酸(2BrCzPA)取代PEDOT:PSS,使SAM分子在ITO衬底上有序排列,有效地降低了光学损耗,提高了功函数(WF)。结果,绿色QLED的最大EQE从11.63%提高到15.28%。此外,基于ITO/SAM的蓝色和红色QLED在22640和9147 nit的亮度水平下分别获得了12.63%和14.83%的高EQEs。采用2BrCzPA的器件表现出更大的稳定性,即使在较高的应用偏压下,操作时间也超过一个月。该成果以《Efficient Hole Injection From Indium Tin Oxide in Quantum-Dot Light-Emitting Diodes》为题发表在Advanced Functional Materials上[1]。
图1 a)基于2BrCzPA处理的ITO的QLED器件结构示意图,以及2BrCzPA的分子结构。b,c) 2BrCzPA处理的ITO的XPS光谱。d) ITO、2BrCzPA和ITO/2BrCzPA的工作函数。(e) 2BrCzPA处理的ITO在空穴注入/传输界面处能级分布的示意图(处理前与处理后)。
本文中,作者通过美国知名低温设备制造商Lake Shore Cryotronics, Ltd.的M91快速霍尔测量模块对载体的迁移率进行了表征。在室温条件下, 未经修饰的ITO(氧化铟锡)载流子迁移率约为27 cm²V⁻¹s⁻¹,而基于2BrCzPA 处理的ITO的载流子迁移率约为5 cm²V⁻¹s⁻¹。这一数据清晰体现出2BrCzPA SAM 修饰对 ITO 衬底电学性能的调控作用。作为专为低迁移率材料测试设计的专业设备,M91模块不仅保障了本研究中未经修饰的ITO与 ITO/2BrCzPA SAM 载流子迁移率数据的真实性与可信度,更为深入分析 2BrCzPA 优化 QLED 空穴注入性能的作用机制,奠定了坚实的数据基础。
Lake Shore 作为美国知名低温设备制造商,研发推出的全新霍尔效应测量系统,可根据测试需求,搭载其自主研发的采用交直流模式测量的新一代多通道高精度低噪声综合电学测量模块M81-SSM或采用自研快速霍尔技术的M91快速霍尔测试模块,有效实现测量速度和精度的双重提升。
基于M81同步源测量模块的霍尔效应测试系统是LakeShore 8400系列霍尔效应测试系统的全新升级,噪声改善提升了2倍。该模块巧妙地结合了直流和交流场测量功能的优点,创新性地采用DC+AC的输出方式,将迁移率测量范围扩展至 0.001 cm2/V s。该模块针对小信号科学研究实验有更多优化,测量更精准。整个模块一体化程度高,配置有信号激励源、测量模块和锁相滤波的整体解决方案,无需多个仪表混合输出,面板操作直观,简单易上手。
M81同步源测量模块
全新一代M91快速霍尔测量模块采用了Lakeshore专利(专利号:9797965和10073151)的快速霍尔测量技术,主要针对低迁移率材料诸如光伏材料(太阳能电池材料)、热电材料、有机材料等的测量。传统测量模式下,DC无法测量低迁移率,而AC模式下耗时甚久,M91的快速霍尔技术有效解决了上述问题。这一全新技术从根本上改变了霍尔效应的测量方式,无需进行磁场极性的切换,使得DC场下测量速度极快,在某些情况下可将分析时间缩短数十倍。大多数常用材料的测量在几秒钟内即可完成分析。即使是极高电阻(高达200GΩ)或低迁移率(~0.001 cm2/V s)的样品一般也能在几分钟内完成。此外,在这项技术的加持下,M91快速霍尔测量模块可以适配于各种类型的磁体(永磁体、电磁体、超导磁体)和系统使用,并且都有成熟的解决方案。
M91快速测量模块
M91测试模块与传统霍尔测试对比表
Lakeshore全新一代的霍尔效应系统采用其自主研发生产的MCS-EMP电磁体平台提供背景磁场。MCS-EMP多用途电磁铁平台提供了自动化可变磁场实验所需的所有基本组件,包括两种尺寸可选(4英寸/7英寸)的电磁体,两种尺寸可选(2英寸/4英寸)的磁极帽和磁体底座、以及电磁体系统控制柜。根据需要,还可以选配光学接口。
电磁体系统控制柜中的各个组件也均由Lakeshore自主研发生产,包括643/648型高可靠性线性磁体电源、F71型多轴高斯计和单轴磁场监测探头,以及功能强大的专用MeasureLINK-MCS操作软件和仪器控制台。
样品组件由样品腔和样品卡组成。样品腔内部设有高性能样品插件,用于与样品卡物理安装和电气连接。根据系统配置的不同,插件包括 8 个三轴连接器,用于为样品提供保护信号,以进行电阻测量(最高可达 200 GΩ)。其圆形连接器包含温度监控导线、插入件标识和安全联锁,确保了测试的准确性和稳定性。
根据不同类型和尺寸的样品,霍尔效应系统同样提供了不同类型样品卡供选择。根据类型不同分为探针式样品卡和焊盘式样品卡;根据尺寸不同有10 mm和50 mm两种尺寸可选,50 mm只有探针式样品卡。
10mm探针样品卡(左)、10mm焊盘式样品卡(中)、50mm探针式样品卡(右)
为了满足角度测量需求,电磁体平台同样配备了样品旋转组件。EMP-HP-ROTATE 样品旋转选件为 MCS-EMP 电磁体平台增加了0°至360°手动样品旋转功能。该组件作为样品腔的选件,也可以与变温选件联用。样品旋转组件适用于 10 毫米大小的样品卡,不能与50mm尺寸的样品卡使用。
样品旋转组件
除了室温测量外,MCS-EMP霍尔系统同样提供高温和低温选件实现变温测量。
低温选件采用闭循环制冷机方式和低温专用样品卡实现10K-400K的变温测量。
使用闭循环制冷机的电磁体平台和低温专用样品卡
高温选件采用采用高温炉选件和高温专用样品卡,可实现室温到1273K的高温测量。目前市面上的霍尔效应系统,只有搭配MCS-EMP电磁体平台和高温选件的霍尔效应系统才能达到1273K的最高测量温度。
使用高温炉选件的电磁体平台和高温专用样品卡
系统支持LakeShore的Janis恒温器与电磁体联用,实现高低温一体化变温的霍尔测量。
1. FastHall Station桌面级M91快速霍尔测试平台
M91快速霍尔测量技术,由于测量过程中磁极不需要反转,使得其可以有效适配于各种类型的磁体和系统。Lakeshore的桌面级M91快速霍尔测试平台FastHall Station是由M91快速霍尔测量模块与1.0T的永磁体组合使用进行霍尔测量。它同时还有室温和77K单点温度选件可选。
2. 与PPMS系统联用
M81/M91快速测试模块可以与Quantum Design的综合物性测量系统(PPMS)进行联用,由PPMS提供变温和磁场环境,M91完成霍尔测量。目前,PPMS的两个型号DynaCool和VersaLab均有成熟的解决方案。
M91 FastHall测试模块与PPMS系统联用
3.与其他磁体定制
除了现有的解决方案外,M91快速霍尔测量模块也可以根据需求,与其他品牌的磁体和恒温器或者客户现有的磁场和温度环境结合使用。如有上述定制化的使用需求,可以联系我们沟通解决方案。
若您对设备有任何问题,欢迎扫码咨询!
美国Lake Shore公司(www.lakeshore.com)是知名的极端温度和磁场条件下高精度测量和控制解决方案的创新者。主要产品包括低温探针台、振动样品磁强计、霍尔效应测量系统、M81同步源测量系统、Janis系列低温恒温器、低温控温仪、低温温度传感器、高斯计及霍尔传感器等。Lake Shore公司一直致力于推动科学发展,其产品解决方案不断创新,应用领域从物理实验室到深太空科学探索不断发展。
[1]. P. Gao, J. Jiang, Y.-M. Song, M.-W. Wang, T. Ding, H. Liu, Z. Yin, K. W. Ng, S. Chen, S.-P. Wang, Efficient Hole Injection From Indium Tin Oxide in Quantum-Dot Light-Emitting Diodes. Adv. Funct. Mater. 2025, 2503467.
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